全球最小的SRAM芯片單元
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英特爾高級副總裁兼生產(chǎn)制造事業(yè)部總經(jīng)理SunlinChou先生說:"英 特爾新型的一平方微米SRAM單元為硅技術(shù)確立新的密度標準。這一結(jié)果使我們在微處理器和其它產(chǎn)品的0.09微米制造工藝方面居于領(lǐng)先地位。"
通過使用新型0.09微米制造工藝,英特爾保持了每兩年推出一代新工藝的記錄。公司將使用這一工藝生產(chǎn)許多其它產(chǎn)品,包括處理器、芯片組和通信產(chǎn)品。英特爾計劃只將0.09微米工藝應(yīng)用在300毫米(12英寸)晶圓上。
全球最小的SRAM芯片單元
英特爾研究人員制造出的52Mb存儲芯片(能夠存儲5200萬獨立比特的信息),在僅為109平方毫米的芯片上集成有3.3億顆晶體管--比一個一角美元硬幣還小。這是迄今為止報道過的容量最大的SRAM。
這些芯片在英特爾位于俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發(fā)工廠(D1C)制造,配合使用先進的193納米和248納米液相工具。
制造SRAM芯片是業(yè)界常用的測試下一代邏輯制造工藝的方式。存儲單元的尺寸大小非常重要,因為這使得英特爾可以通過添加更多的片上緩存,增加整體邏輯密度,經(jīng)濟有效地提升微處理器性能。成功生產(chǎn)SRAM同時顯示了使用0.09微米工藝生產(chǎn)微處理器時所需要的全部特性都已經(jīng)成熟,其中包括高性能晶體管及高速銅線互連。
美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機構(gòu)共同宣布,世界上首個22納米節(jié)點有效靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下,制造出有效存儲單元。 SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備,比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計,僅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。 新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)完成的,IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導(dǎo)體研究都在這里進行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱,“我們正在可能性的終極邊緣進行研究,朝著先進的下一代半導(dǎo)體技術(shù)前進。新的研究成果對于不斷驅(qū)動微電子設(shè)備小型化的追求,可以說至關(guān)重要。”
22納米是芯片制造的下兩代,而下一代是32納米。在這方面,IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝(high-K metal gate technology)。
從傳統(tǒng)上而言,SRAM芯片通過縮小基本構(gòu)建單元,來制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設(shè)計和電路圖,從而提升了穩(wěn)定性,此外,為了制造新型SRAM單元,他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻(high-NA immersion lithography)技術(shù)刻出了模式維度和密度,并且在先進的300毫米半導(dǎo)體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。
與SRAM單元相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括:邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結(jié)構(gòu)(spacer)、共同摻雜、先進激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。
據(jù)悉,在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設(shè)備(IEDM)年會上,還會有專門的報告來介紹最新成果的細節(jié)。
全球最小的SRAM芯片單元
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