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全球最小的SRAM芯片單元

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  全球最小的SRAM芯片單元是什么呢,下面由學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)相關(guān)方面知識(shí)的介紹,希望大家能有幫助。

  英特爾高級(jí)副總裁兼生產(chǎn)制造事業(yè)部總經(jīng)理SunlinChou先生說(shuō):"英 特爾新型的一平方微米SRAM單元為硅技術(shù)確立新的密度標(biāo)準(zhǔn)。這一結(jié)果使我們?cè)谖⑻幚砥骱?a href='http://www.zbfsgm.com/meng/xiaqita/' target='_blank'>其它產(chǎn)品的0.09微米制造工藝方面居于領(lǐng)先地位。"

  通過(guò)使用新型0.09微米制造工藝,英特爾保持了每?jī)赡晖瞥鲆淮鹿に嚨挠涗?。公司將使用這一工藝生產(chǎn)許多其它產(chǎn)品,包括處理器、芯片組和通信產(chǎn)品。英特爾計(jì)劃只將0.09微米工藝應(yīng)用在300毫米(12英寸)晶圓上。

  全球最小的SRAM芯片單元

  英特爾研究人員制造出的52Mb存儲(chǔ)芯片(能夠存儲(chǔ)5200萬(wàn)獨(dú)立比特的信息),在僅為109平方毫米的芯片上集成有3.3億顆晶體管--比一個(gè)一角美元硬幣還小。這是迄今為止報(bào)道過(guò)的容量最大的SRAM。

  這些芯片在英特爾位于俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發(fā)工廠(D1C)制造,配合使用先進(jìn)的193納米和248納米液相工具。

  制造SRAM芯片是業(yè)界常用的測(cè)試下一代邏輯制造工藝的方式。存儲(chǔ)單元的尺寸大小非常重要,因?yàn)檫@使得英特爾可以通過(guò)添加更多的片上緩存,增加整體邏輯密度,經(jīng)濟(jì)有效地提升微處理器性能。成功生產(chǎn)SRAM同時(shí)顯示了使用0.09微米工藝生產(chǎn)微處理器時(shí)所需要的全部特性都已經(jīng)成熟,其中包括高性能晶體管及高速銅線互連。

  美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機(jī)構(gòu)共同宣布,世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)有效靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下,制造出有效存儲(chǔ)單元。   SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備,比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì),僅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。   新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)完成的,IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導(dǎo)體研究都在這里進(jìn)行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱,“我們正在可能性的終極邊緣進(jìn)行研究,朝著先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)前進(jìn)。新的研究成果對(duì)于不斷驅(qū)動(dòng)微電子設(shè)備小型化的追求,可以說(shuō)至關(guān)重要。”

  22納米是芯片制造的下兩代,而下一代是32納米。在這方面,IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無(wú)與倫比的32納米高K金屬柵極工藝(high-K metal gate technology)。

  從傳統(tǒng)上而言,SRAM芯片通過(guò)縮小基本構(gòu)建單元,來(lái)制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設(shè)計(jì)和電路圖,從而提升了穩(wěn)定性,此外,為了制造新型SRAM單元,他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒(méi)式光刻(high-NA immersion lithography)技術(shù)刻出了模式維度和密度,并且在先進(jìn)的300毫米半導(dǎo)體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。

  與SRAM單元相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括:邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長(zhǎng)度晶體管、超薄隔離結(jié)構(gòu)(spacer)、共同摻雜、先進(jìn)激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點(diǎn)等。

  據(jù)悉,在2008年12月15至17日美國(guó)舊金山將要舉行的IEEE國(guó)際電子設(shè)備(IEDM)年會(huì)上,還會(huì)有專門的報(bào)告來(lái)介紹最新成果的細(xì)節(jié)。

全球最小的SRAM芯片單元

全球最小的SRAM芯片單元是什么呢,下面由學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)相關(guān)方面知識(shí)的介紹,希望大家能有幫助。 英特爾高級(jí)副總裁兼生產(chǎn)制造事業(yè)部總經(jīng)理SunlinChou先生說(shuō):英 特爾新型的一平方微米SRAM單元為硅技術(shù)確立新的密度標(biāo)準(zhǔn)。這一結(jié)果使我們
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