BIOS里面設(shè)置內(nèi)存的中英文對照

　　在BIOS里面怎么設(shè)置內(nèi)存，不少用戶都反映，在BIOS里面設(shè)置內(nèi)存的時候，選項都是英文，看不懂。下面學(xué)習(xí)啦小編就為大家介紹一下關(guān)于BIOS里面設(shè)置內(nèi)存的中英文對照吧，歡迎大家參考和學(xué)習(xí)。

　　BIOS中內(nèi)存設(shè)置的中英文對照：

　　Above 1MB Memory Test：設(shè)置開機(jī)自檢時是否檢測1M以上內(nèi)存。該選項已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機(jī)時的大容量內(nèi)存自檢時間太長，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測可能也會出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。

　　Auto Configuration：設(shè)置為允許時，BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動設(shè)置內(nèi)存定時，因此會禁止一些對內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。

　　Memory Test Tick Sound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。

　　Memory Parity Error Check：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗。多在30線內(nèi)存條使用時代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗內(nèi)存強(qiáng)行進(jìn)行奇偶校驗設(shè)置會使電腦無法開機(jī)。

　　Cache Memory Controller：是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。

　　Shadow RAM Option：設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中?？梢约涌焖俣龋部赡茉斐伤罊C(jī)。

　　Internal Cache Memory：是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。

　　External Cache Memory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現(xiàn)，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。

　　Concurrent Refresh：直譯是同時發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對其它I/O操作時對內(nèi)存同時刷新，可以提高系統(tǒng)性能。

　　DRAM Read Wait State：設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

　　DRAM Write Wait State：設(shè)置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

　　Slow Refresh：對質(zhì)量好的內(nèi)存，保持?jǐn)?shù)據(jù)的時間比較長，可以設(shè)置更長的時間周期，從而提高系統(tǒng)性能。

　　Shadow Cachecable：把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOS ROM增加高速緩存，使性能更進(jìn)一步。

　　Page Mode：使內(nèi)存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。

　　RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內(nèi)存RAS周期，因此采用計數(shù)器來監(jiān)視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期 自動復(fù)位為0。

　　Memory Relocation：內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(Upper Memory Block)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲到1MB以上的擴(kuò)展內(nèi)存中。

　　Memory Hole：有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴(kuò)展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止，除非ISA擴(kuò)展卡有專門的說明。

　　DRMA Timing Setting：快頁內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無效。

　　Fast MA to RAS Delay：設(shè)置內(nèi)存地址(Memory Address)到內(nèi)存行地址觸發(fā)信號(RAS)之間的延遲時間。

　　DRAM Write Brust Timing：CPU把數(shù)據(jù)寫如高速緩存后，再寫如內(nèi)存的延遲時間。

　　Fast RAS To CAS Delay：行地址觸發(fā)信號到列地址觸發(fā)信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

　　DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫內(nèi)存前的時間。

　　DRAM Speculative Read：設(shè)置成允許時，讀內(nèi)存的時間比正常時間提前一個時間周期，可以提高系統(tǒng)性能。

　　DRAM Data Integrity Mode：選擇內(nèi)存校驗方式是Parity或ECC。

　　Refresh RAS Assertion：設(shè)置內(nèi)存的行地址刷新時間周期，對質(zhì)量好的內(nèi)存可以延遲刷新，從而提高系統(tǒng)性能。

　　RAS Recharge Period：內(nèi)存行地址信號預(yù)先充電所需要的時間。

　　Fast EDO Path Select：設(shè)置選擇對EDO內(nèi)存讀/寫的快速途徑，可以提高系統(tǒng)性能。

　　SDRAM RAS Latency：設(shè)置SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時間延遲。

　　SDRAM RAS Timing：設(shè)置系統(tǒng)對SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)時間，也即刷新時間。

　　Peer Concurrency：為提高系統(tǒng)并行，使CPU對高速緩存或內(nèi)存或PCI設(shè)備，或PCI的主控信號對PCI外圍設(shè)備等等操作同時進(jìn)行。系統(tǒng)智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。