電腦如何優(yōu)化內(nèi)存條的方法
計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的快速發(fā)展,使得其在信息傳輸方面的優(yōu)勢(shì)得到了體現(xiàn)。現(xiàn)在,人們?cè)谏詈凸ぷ髦袑?duì)計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的依賴程度非常高,因此,計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)也慢慢成為了信息傳遞的主要方式。下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的關(guān)于電腦如何優(yōu)化內(nèi)存條的方法，一起來(lái)看看吧!
電腦如何優(yōu)化內(nèi)存條的方法
內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運(yùn)算所需的原始數(shù)據(jù)，現(xiàn)在CPU運(yùn)行速度超過(guò)內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此就造成了CPU很多時(shí)候都在等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)的情況。這就是我們通常所說(shuō)的“CPU等待時(shí)間”，或所謂的“內(nèi)存瓶頸”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。通常情況之下，購(gòu)買新的、更快速的內(nèi)存是解決內(nèi)存瓶頸最直接的辦法。不過(guò)，利用我們現(xiàn)有的內(nèi)存，好好做一番優(yōu)化設(shè)置，也能收到異曲同工之妙的效果，而且還不用花錢。
上期我們已經(jīng)介紹過(guò)了，目前主流內(nèi)存分為SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種。這三種內(nèi)存有一個(gè)共同點(diǎn)，就是它們都以與系統(tǒng)CPU的外部頻率相同的頻率工作，這個(gè)頻率也就是我們常說(shuō)的一個(gè)術(shù)語(yǔ)——FSB(Front Side Bus，前端總線)頻率?，F(xiàn)在的主板都具有比較高的“智能”，這三種內(nèi)存在插到相對(duì)應(yīng)的主板后，都能自動(dòng)設(shè)置正確的運(yùn)行頻率。因此，即使我們不進(jìn)行任何設(shè)置或調(diào)整，絕大多數(shù)內(nèi)存都能實(shí)現(xiàn)“即插即用”。不過(guò)，幾乎所有主板的內(nèi)存相關(guān)參數(shù)出廠初始設(shè)置都比較保守，并不能將內(nèi)存的性能充分發(fā)揮。下面，我們針對(duì)三種內(nèi)存來(lái)分別介紹其各自的優(yōu)化方法。
(注：我們以下所談到的內(nèi)存優(yōu)化都限于在主板BIOS提供的功能上。開(kāi)機(jī)時(shí)按住“Del”鍵就可以進(jìn)入BIOS的設(shè)定界面，具體設(shè)置菜單項(xiàng)一般是“ChiPset Features Setup”或“Advanced Chipset Features”。修改參數(shù)通常是用“PageUp/PageDown”鍵或更為直觀的回車選擇菜單兩種方式，修改完成后，一定記住按“F10”鍵保存。所有修改在系統(tǒng)重新啟動(dòng)之后生效。)
RDRAM內(nèi)存優(yōu)化
RDRAM的設(shè)置和優(yōu)化是最簡(jiǎn)單的。RDRAM分兩種規(guī)格——PC600和PC800，還有一種是不太正式的PC700，性能以PC600最低而PC800最高。要正確設(shè)置RDRAM，首先要做的就是認(rèn)清自己的內(nèi)存是哪種規(guī)格。
圖1 由于RDRAM的工作規(guī)范要求極高，因此大部分Pentium 4主板都沒(méi)有提供超頻的功能，我們只要在BIOS中將“RDRAM Bus Frequency”選項(xiàng)設(shè)置成與內(nèi)存條相同的頻率就可以了。這里，400MHz對(duì)應(yīng)PC800內(nèi)存條，而300MHz對(duì)應(yīng)PC600內(nèi)存條(PC700內(nèi)存條只能當(dāng)PC600來(lái)用)。
圖2 這是一條PC800的RDRAM內(nèi)存條，我們從內(nèi)存標(biāo)牌上可以明顯地找到它的規(guī)格標(biāo)記。
SDR/DDR內(nèi)存優(yōu)化
DDR SDRAM的設(shè)置與SDRAM大致相同，因此我們就以SDRAM為例一并介紹。
SDRAM有3個(gè)正式的規(guī)格——PC66、PC100和PC133;DDR SDRAM則有PC1600和PC2100兩種規(guī)格。個(gè)別廠商針對(duì)超頻愛(ài)好者的需要，也提供了PC150和PC166這兩種非正式規(guī)格的SDRAM內(nèi)存條，DDR SDRAM也有PC2700的非正式規(guī)格產(chǎn)品出現(xiàn)。這些數(shù)值其實(shí)代表了這些內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率，如PC133內(nèi)存的最大穩(wěn)定運(yùn)行頻率就應(yīng)該為133MHz。但在BIOS設(shè)置選項(xiàng)中，很少可以直接選擇內(nèi)存規(guī)格。更多的是以設(shè)置FSB頻率或內(nèi)存的運(yùn)行時(shí)鐘周期來(lái)間接設(shè)置內(nèi)存規(guī)格。
圖3 前面我們已經(jīng)說(shuō)過(guò)了，內(nèi)存的運(yùn)行頻率與FSB相同。FSB設(shè)置選項(xiàng)往往在BIOS中與CPU頻率的設(shè)置在一起，其實(shí)就是以設(shè)置CPU運(yùn)行頻率(倍頻和外頻)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
圖4 這塊主板則是通過(guò)內(nèi)存的存取時(shí)鐘周期來(lái)設(shè)置內(nèi)存運(yùn)行頻率的。計(jì)算內(nèi)存時(shí)鐘周期與運(yùn)行頻率關(guān)系的簡(jiǎn)化公式是：1÷內(nèi)存時(shí)鐘周期×1000MHz。如7.5ns的SDRAM，它的運(yùn)行頻率就是1÷7.5×1000MHz≈133MHz。圖中的內(nèi)存設(shè)置為8ns，其實(shí)它只能算是PC100的內(nèi)存。
圖5 SDRAM和DDR SDRAM在內(nèi)存芯片上都標(biāo)注了該內(nèi)存的存取時(shí)鐘周期，我們不僅可以根據(jù)這個(gè)數(shù)值來(lái)正確設(shè)置內(nèi)存，還可以用它來(lái)判斷內(nèi)存是否符合標(biāo)稱的規(guī)格。
正確設(shè)置內(nèi)存運(yùn)行頻率僅僅只是優(yōu)化內(nèi)存的第一步，想要獲得更好的性能，調(diào)節(jié)FSB是最有效的手段。但由于這會(huì)使CPU運(yùn)行頻率隨之上升，因此并不見(jiàn)得CPU就能穩(wěn)定運(yùn)行。一旦CPU的超頻能力足夠，那么內(nèi)存的最大穩(wěn)定運(yùn)行頻率也就至關(guān)重要了，這也就是為什么發(fā)燒友們總是對(duì)PC150、PC166內(nèi)存情有獨(dú)鐘的原因。
目前絕大多數(shù)主板的BIOS都提供了對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行微調(diào)的功能，但廠商不同、具體主板采用的芯片組不同，可以調(diào)節(jié)的項(xiàng)目也不相同。由于內(nèi)存運(yùn)行參數(shù)微調(diào)涉及到非常專業(yè)的知識(shí)，這里我們只告訴大家該調(diào)節(jié)一些什么項(xiàng)目，以及怎樣調(diào)節(jié)。
圖6 CL值是調(diào)節(jié)最頻繁的內(nèi)存參數(shù)。CL是CAS Latency(CAS延時(shí))的簡(jiǎn)寫，該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，CL值越小表明內(nèi)存的性能越高。按PC133規(guī)范的技術(shù)文檔說(shuō)明，只有運(yùn)行頻率為133MHz、CL=2的內(nèi)存，才真正符合PC133標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上的很多所謂的PC133內(nèi)存都不能做到CL=2。DDR SDRAM內(nèi)存的CL目前大多為2.5或2。
圖7 大多數(shù)主板BIOS都可以設(shè)置CL參數(shù)的值(在主板BIOS中該參數(shù)有的表示為CAS Latency，有的為SDRAM CAS Latency Time，也有如圖表示為SDRAM Cycle Length的)，這個(gè)參數(shù)理論上可以隨便設(shè)置，因此可以盡量嘗試減小該值。但此舉如導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法啟動(dòng)或運(yùn)行中死機(jī)，就應(yīng)該及時(shí)還原該參數(shù)。
圖8 部分主板提供了更為詳細(xì)的三個(gè)內(nèi)存參數(shù)選擇——SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay 和SDRAM CAS Latency Time。這幾個(gè)數(shù)值都可以慢慢嘗試將其減小。
圖9 從VIA 693芯片組開(kāi)始，VIA公司的所有芯片組還支持一個(gè)比較特殊的設(shè)置，這就是SDRAM的四路交錯(cuò)(4 Way Interleave)。該參數(shù)可以大大提高SDRAM的預(yù)充電效率，從而提升內(nèi)存性能。目前很多采用VIA芯片組的主板都有這個(gè)設(shè)置，它們?cè)诓藛沃械倪x項(xiàng)往往被稱為Bank Interleave。在設(shè)置時(shí)，我們只要將其更改為4 Bank或4 Way Interleave即可。
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