如何查看臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條類型
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查看臺(tái)式電腦內(nèi)存條方法介紹：
看顆粒就行了
5NS就是400的 6NS就是333 7.5的就是266
現(xiàn)代的則不同了
舉個(gè)例子：
HYNIX DDR SDRAM顆粒編號(hào)：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號(hào)，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。
顆粒編號(hào)解釋如下：
1. HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。
2. 內(nèi)存芯片類型：(5D=DDR SDRAM)
3. 處理工藝及供電：(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度：(64：64M 4K刷新;66：64M 2K刷新;28：128M 4K刷新;56：256M 8K刷新;57：256M 4K刷新;12：512M 8K刷新;1G：1G 8K刷新)
5. 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：(4=4顆芯片;8=8顆芯片;16=16顆芯片;32=32顆芯片)
6. 內(nèi)存bank(儲(chǔ)蓄位)：(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口類型：(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 內(nèi)核代號(hào)：(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗：(空白=普通;L=低功耗型)
10.封裝類型：(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.封裝堆棧：(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12.封裝原料：(空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素)
13. 速度：(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14.工作溫度：(I=工業(yè)常溫(-40 - 85度);E=擴(kuò)展溫度(-25 - 85度))
記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。
另外我補(bǔ)充幾點(diǎn)：
不知樓主的配置如何，各種主板配置內(nèi)存不一樣。
1、如果是Socket754平臺(tái)，最好不要使用3條DDR400內(nèi)存，不然會(huì)降到DDR333，這是受限于Socket754處理器內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)。
2、如果是Socket939平臺(tái)，最好不要用四條，如果用了，AMD平臺(tái)中“1T Command”不能打開，從而大大降低性能。
3、如果是i915P/Pl和i865PE平臺(tái)，除了品牌、頻率、顆粒封裝要相同外，建議全部選用單面或全用雙面，不要單雙混用，這其實(shí)適合所有主板。
4、有些主板上的內(nèi)存插槽有兩種顏色，同一種色組成一個(gè)雙通道，裝內(nèi)存時(shí)要注意
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