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臺(tái)式機(jī)和筆記本內(nèi)存條是不是通用

時(shí)間: 林輝766 分享

臺(tái)式機(jī)和筆記本內(nèi)存條是不是通用

  想給自己的筆記本換臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條,這樣行得通嗎?下面由學(xué)習(xí)啦小編給你做出詳細(xì)的臺(tái)式機(jī)和筆記本內(nèi)存條是否通用說法介紹!希望對(duì)你有幫助!

  臺(tái)式機(jī)和筆記本內(nèi)存條是否通用說法一:

  一般的是不能通用的。筆記本的都比較小。但是有些臺(tái)式機(jī)的主板是迷你型的。那種可以支持筆記本的。一般只要能反擊去的就可以用的

  臺(tái)式機(jī)和筆記本內(nèi)存條是否通用說法二:

  內(nèi)存條為防止裝錯(cuò),有專門的卡缺.

  也就是說,你用臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條去插筆記本的,根本就插不進(jìn)

  臺(tái)式機(jī)和筆記本內(nèi)存條是否通用說法三:

  大小尺寸都不同,電氣規(guī)范也不同,不行。不過以前好像聽說能用轉(zhuǎn)接卡讓臺(tái)式機(jī)用上筆記本的內(nèi)存。

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  內(nèi)存條分類

  內(nèi)存的作用

  內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序,如WindowsXP系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等,一般都是安裝在硬盤等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行,才能真正使用其功能,我們平時(shí)輸入一段文字,或玩一個(gè)游戲,其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在外存上,而把一些臨時(shí)的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上。

  折疊內(nèi)存的分類

  內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,我們平時(shí)說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲(chǔ)器,我們平時(shí)開機(jī)首先啟動(dòng)的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows,ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。

  根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲(chǔ)器模塊SIMM,(SIMM就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號(hào)的內(nèi)存結(jié)構(gòu),)168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲(chǔ)器模塊DIMM。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般有4M、8M、16M和32M等幾種;目前市場(chǎng)的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16M、32M、64M、128M等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。

  折疊什么是EDO和SDRAM

  前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種,其實(shí),它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。

  譬如,72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存,而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存;目前,EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右,能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻,但跑83兆赫茲則有點(diǎn)勉為其難了;而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達(dá)到10納秒左右,能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代,至今,幾乎已無人再用EDO來裝機(jī)了,只有升級(jí)擴(kuò)充舊電腦內(nèi)存時(shí)還用得著它。

  其實(shí),EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性,因?yàn)?,目前市?chǎng)上主流CPU的主頻已高達(dá)450兆赫茲,未來CPU的主頻還會(huì)越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個(gè)內(nèi)存瓶頸的問題,我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu),即SDRAM。因?yàn)椋瑥睦碚撋险f,SDRAM與CPU頻率同步,共享一個(gè)時(shí)鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列,當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)陣列訪問數(shù)據(jù)的同時(shí),另一個(gè)已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù),通過兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。目前,最新的SDRAM的存儲(chǔ)速度已高達(dá)5納秒,所以,SDRAM已成為近期內(nèi)存發(fā)展的主流。

  當(dāng)然,EDO內(nèi)存也并沒有完全舉手投降,相反,憑借其出色的視頻特性和低廉的價(jià)格,在顯示內(nèi)存等領(lǐng)域仍是連

  連得手,眾多低檔顯卡更是無一例外地采用EDO內(nèi)存。另外,許多硬盤、光驅(qū)和打印機(jī)也是采用EDO緩存,可見,EDO內(nèi)存還真是寶刀不老啊!

  RAM有些像教室里的黑板,上課時(shí)老師不斷地往黑板上面寫東西,下課以后全部擦除。RAM要求每時(shí)每刻都不斷地供電,否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。如果在關(guān)閉電源以后RAM中的數(shù)據(jù)也不丟失就好了,這樣就可以在每一次開機(jī)時(shí)都保證電腦處于上一次關(guān)機(jī)的狀態(tài),而不必每次都重新啟動(dòng)電腦,重新打開應(yīng)用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應(yīng),那有沒有辦法解決這個(gè)問題呢?隨著技術(shù)的進(jìn)步,人們想到了一個(gè)辦法,即給RAM供應(yīng)少量的電源保持RAM的數(shù)據(jù)不丟失,這就是電腦的待機(jī)功能,特別在Win2000里這個(gè)功能得到了很好的應(yīng)用,休眠時(shí)電源處于連接狀態(tài),但是耗費(fèi)少量的電能。

  按內(nèi)存條的接口形式,常見內(nèi)存條有兩種:單列直插內(nèi)存條(SIMM),和雙列直插內(nèi)存條(DIMM)。SIMM內(nèi)存條分為30線,72線兩種。DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用,不同容量可混合使用,SIMM必須成對(duì)使用。

  按內(nèi)存的工作方式,內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動(dòng)態(tài)RAM)等形式。

  FPM(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁面模式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存,它每隔三個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。

  EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM

  擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔,他每個(gè)兩個(gè)時(shí)鐘脈沖周期輸出一次數(shù)據(jù),大大地縮短了存取時(shí)間,使存儲(chǔ)速度提高30%。EDO一般是72腳,EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。

  S(SYSNECRONOUS)DRAM

  同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:SDRAM為168腳,這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期,以相同的速度同步工作,每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù),速度比EDO內(nèi)存提高50%。

  DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM

  SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍

  提高SDRAM的速度。

  RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;RDRAM是RAMBUS公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬,芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的新型DRAM,他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過一個(gè)簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時(shí)使用低電壓信號(hào),在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對(duì)RDRAM的支持。

  內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個(gè):存儲(chǔ)容量和存取時(shí)間。存儲(chǔ)容量越大,電腦能記憶的信息越多。存取時(shí)間則以納秒(NS)為單位來計(jì)算。一納秒等于10^-9秒。數(shù)字越小,表明內(nèi)存的存取速度越快。
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