cpu內(nèi)存控制器是什么
內(nèi)存控制器是計算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并且通過內(nèi)存控制器使內(nèi)存與CPU之間交換數(shù)據(jù)的重要組成部分。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于cpu內(nèi)存控制器是什么的內(nèi)容，歡迎閱讀!
cpu內(nèi)存控制器是什么：
內(nèi)存控制器是計算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并且通過內(nèi)存控制器使內(nèi)存與CPU之間交換數(shù)據(jù)的重要組成部分。內(nèi)存控制器決定了計算機(jī)系統(tǒng)所能使用的最大內(nèi)存容量、內(nèi)存BANK數(shù)、內(nèi)存類型和速度、內(nèi)存顆粒數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)寬度等等重要參數(shù)，也就是說決定了計算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存性能，從而也對計算機(jī)系統(tǒng)的整體性能產(chǎn)生較大影響。
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CPU內(nèi)部整合內(nèi)存控制器的優(yōu)點，就是可以有效控制內(nèi)存控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上，而且由于內(nèi)存與CPU之間的數(shù)據(jù)交換無需經(jīng)過北橋，可以有效降低傳輸延遲。打個比方，這就如同將貨物倉庫直接搬到了加工車間旁邊，大大減少原材料和制成品在貨物倉庫與加工車間之間往返運輸所需要的時間，極大地提高了生產(chǎn)效率。
這樣一來系統(tǒng)的整體性能也得到了提升。折疊內(nèi)存頻率和CPU一樣，內(nèi)存也有自己的工作頻率，頻率以MHz為單位內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。最為主流的內(nèi)存頻率為DDR2-800和DDR3-1333，作為DDR2的替代者，DDR3內(nèi)存的頻率已經(jīng)在向3000MHz進(jìn)發(fā)。折疊內(nèi)存容量內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價格的因素，同時也是影響到整機(jī)系統(tǒng)性能的因素。過去Windows XP平臺，512M的內(nèi)存還是主流，1GB已經(jīng)是大容量;64位系統(tǒng)開始普及，Windows Vista、Windows 7越來越多人使用，沒有2GB左右的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。
單根內(nèi)存的容量主要有1GB、2GB、4GB，最高已經(jīng)達(dá)到單根8GB。折疊工作電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。DDR2內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右，而DDR3內(nèi)存則在1.6V左右。有的高頻內(nèi)存需要工作在高于標(biāo)準(zhǔn)的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號的內(nèi)存，則要看廠家了。只要在允許的范圍內(nèi)浮動，略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險。折疊時序參數(shù)tCL : CAS Latency Control(tCL)一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如"8-8-8-24"這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應(yīng)的參數(shù)是"CL-tRCD-tRP-tRAS"。這個第一個"8"就是第1個參數(shù)，即CL參數(shù)。CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是"內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間"。
CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請求觸發(fā)后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。
所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。這個參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數(shù)據(jù)。而且提高延遲能使內(nèi)存運行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時，應(yīng)該試著提高CAS延遲。該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。tRCD : RAS to CAS Delay該值就是"8-8-8-24"內(nèi)存時序參數(shù)中的第2個參數(shù)，即第2個"8"。RAS to CAS Delay(也被描述為:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數(shù)值越小，性能越好。
對內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。tRP : Row Precharge Timing(tRP)該值就是"8-8-8-24"內(nèi)存時序參數(shù)中的第3個參數(shù)，即第3個"8"。Row Precharge Timing (也被描述為:tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。
tRAS : Min RAS Active Timing該值就是該值就是"8-8-8-24"內(nèi)存時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即"24"。Min RAS Active Time (也被描述為:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示"內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期"，調(diào)整這個參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在24~30之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導(dǎo)致已被激活的行地址會更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。對于大多數(shù)人來說，內(nèi)存這個小硬件選好容量和頻率，然后插上主板用上就行了，對它的很多小參數(shù)完全不在意。
所以，行業(yè)廠商也會提供比較傻瓜式的讀取內(nèi)存SPD芯片的參數(shù)信息，自動設(shè)置各項小參，簡單好用;更有簡單的超頻設(shè)置--XMP技術(shù)，讓普通用戶也能簡單地享受超頻增值的樂趣。當(dāng)然，真正的玩家在超頻時為了達(dá)到最理想的效果，還是更傾向于手動設(shè)置各項小參。希望通過這篇文章，大家能對內(nèi)存的各項參數(shù)有更深的理解，并在使用上有一定的幫助。折疊