晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。CPU中也有晶體管，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于cpu內(nèi)有多少個晶體管的內(nèi)容，歡迎閱讀!

　　cpu內(nèi)有多少個晶體管：

　　1978年，英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬個晶體管。1978年：英特爾標(biāo)志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業(yè)部，武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進(jìn)版，含有2.9萬個晶體發(fā)布英特爾酷睿i7處理器管，運(yùn)行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進(jìn)入了財富(FORTUNE) 500強(qiáng)企業(yè)排名，《財富(FORTUNE)》雜志將英特爾公司評為“70年代商業(yè)奇跡之一(Business Triumphs of the Seventies)”。1982年：286微處理器(全稱80286，意為“第二代8086”)推出，提出了指令集概念，即現(xiàn)在的x86指令集，可運(yùn)行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件。

　　286處理器使用了13400個晶體管，運(yùn)行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。1985年：英特爾386微處理器問世，含有27.5萬個晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務(wù)處理能力，即它可在同一時間運(yùn)行多個程序。1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個晶體管，采用英特爾0.8微米制程技術(shù)生產(chǎn)。1999年2月：英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬個晶體管，采用英特爾0.25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺式電腦由此可實(shí)現(xiàn)每含30億晶體管的GF110核心秒鐘22億個周期運(yùn)算。它采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，含有5500萬個晶體管。2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破，包括高性能、低功耗晶體管，應(yīng)變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應(yīng)變硅。

　　2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術(shù)平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動優(yōu)化微體系架構(gòu)，采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，包含7700萬個晶體管。

　　2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個晶體管，采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。2006年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發(fā)布，采用世界最復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計，含有2.7億個晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

　　2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管，采用英特爾65納米制程技術(shù)在世界最先進(jìn)的幾個實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)。2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米制程產(chǎn)品正在開發(fā)，面向臺式機(jī)、筆記本和企業(yè)級計算市場，研發(fā)代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。

　　2007年1月8日：為擴(kuò)大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發(fā)布了針對桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個晶體管。2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)系列多核處理器的數(shù)以億計的45納米晶體管或微小開關(guān)中用來構(gòu)建絕緣“墻”和開關(guān)“門”，研發(fā)代碼Penryn。2010年11月，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個晶體管，采用先進(jìn)的40納米工藝制造。2011年05月05 日：英特爾成功開發(fā)世界首個3D晶體管，稱為tri-Gate。除了英特爾將3D晶體管應(yīng)用于22納米工藝之后，三星，GlobalFoundries，臺積電和臺聯(lián)電都計劃將類似于Intel的3D晶體管技術(shù)應(yīng)用到14納米節(jié)點(diǎn)上