關(guān)于內(nèi)存條的知識(升級內(nèi)存必讀

朋友，你的電腦是不是經(jīng)常死機(jī)，朋友，你是不是對你的電腦在WIN98下無休止的藍(lán)屏，朋友，你的電腦是不是擁有一顆極品的心臟，在別人的主板上能超，自己的電腦上就超不了？如果您出現(xiàn)了以上的情況，那么恭喜您中獎(jiǎng)了，您擁有了一條垃圾內(nèi)存。

　　我們在攢電腦的時(shí)候一般只是注意內(nèi)存的容量和內(nèi)存的性能指標(biāo)，例如DDR400 DDR533之類的。但是你知道嗎，同樣的內(nèi)存根據(jù)他的品牌，出廠時(shí)間以及批號不同，它具有著不同的性能和穩(wěn)定性，本文將著重和您探討不同品牌內(nèi)存之間的性能和穩(wěn)定性的差異以及同品牌但批號不同的內(nèi)存的性能差異。另外，本文還將重點(diǎn)涉及內(nèi)存的制假和售假的方法。將向您徹底揭露正品內(nèi)存和深圳“油條”的鑒別方法。*(什么是油條？這里不賣豆?jié){，下文中將相信向您講授油條的做法)

我們先來說一下內(nèi)存的基本知識，歸納成一句話就是：什么是內(nèi)存？

　　內(nèi)存就是隨機(jī)存貯器（Random Access Memory，簡稱為RAM）。RAM分成兩大類：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，即Static RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，Dynamic RAM（DRAM），我們經(jīng)常說的“系統(tǒng)內(nèi)存”就是指后者，DRAM。

　　SRAM是一種重要的內(nèi)存，它的用途廣泛，被應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時(shí)可以保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性，即保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，為了實(shí)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)，SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，往往要采用大量的晶體管來構(gòu)造寄存器以保留數(shù)據(jù)。采用大量的晶體管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面積，無形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本貴許多，因此，SRAM在PC平臺上就只能用于CPU內(nèi)部的一級緩存以及內(nèi)置的二級緩存。而我們所說的“系統(tǒng)內(nèi)存”使用的應(yīng)該是DRAM。由于SRAM的成本昂貴，其發(fā)展受到了嚴(yán)重的限制，目前僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM的應(yīng)用比SRAM要廣泛多了。DRAM的結(jié)構(gòu)較SRAM要簡單許多，它的內(nèi)部僅僅由一個(gè)MOS管和一個(gè)電容組成，因此，無論是集成度、生產(chǎn)成本以及體積，DRAM都比SRAM具有優(yōu)勢。目前，隨著PC機(jī)的不斷發(fā)展，我們對于系統(tǒng)內(nèi)存的要求越來越大，隨著WindowXP的推出，軟件對于內(nèi)存的依賴更加明顯：在WindowsXP中，專業(yè)版至少需要180MB內(nèi)存以上，而在實(shí)際使用中，128MB才能保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。因此，隨著PC的發(fā)展，內(nèi)存的容量將不斷擴(kuò)大，速度也會(huì)不斷提升。

　　好了，下面我們在來說一下內(nèi)存的速度問題。我們選擇內(nèi)存的速度，決定于你選用CPU的前端總線，例如你用的是P4A那你用雙通道的DDR200或者DDR400就已經(jīng)足夠了~因?yàn)镻4A的前端總線是400MHZ，但是由于內(nèi)存廠商的市場策略問題，DDR200基本就沒有出貨。取而代之的是DDR266能夠提供2。1GB的帶寬，此種內(nèi)存適用于ATHLONXP低頻以及毒龍等中低端配置以及P4B這款533外頻的INTEL半過時(shí)產(chǎn)品(需搭配雙通道)，已經(jīng)不在主流市場之內(nèi)。

　　DDR333能夠提供2.7GB的內(nèi)存帶寬適用于AMD166MHZ外頻的巴頓處理器。而雙通道的DDR400內(nèi)存以及DDR433 DDR450內(nèi)存將能夠提供6.4GB以上的內(nèi)存帶寬，主要應(yīng)用在INTEL高端的P4C P4E上以及ATHLON64上面。當(dāng)然，上文所述的僅僅是能夠滿足硬件系統(tǒng)的最低要求，如果您擁有一顆像毒龍1.6G，ATHLONXP1800+ (b0 1.5V低壓版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴頓2500+這樣的具有極品超品潛力的CPU那么我推薦您購買高一個(gè)性能檔次的內(nèi)存，例如Athlon2000+配合DDR333的內(nèi)存，這樣基本所有的巴頓2000+都可以超到2500+使用，市場上的假2500+就是用2000+超頻而來的。

　　 在WINXP系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用中，我們提出一個(gè)不規(guī)范的公式 內(nèi)存容量〉內(nèi)存速度〉內(nèi)存類型 也就是說 就算是SD256M內(nèi)存也比128M的DDR400系統(tǒng)速度快，在選購內(nèi)存的時(shí)候，我們建議XP系統(tǒng)應(yīng)該配備384M以上的內(nèi)存，才能保證系統(tǒng)的快速運(yùn)行。

下面我們在來說說內(nèi)存的品牌差異：

　　熟悉電腦的朋友們都知道，我們經(jīng)常用到的內(nèi)存品牌有：海盜船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 雜牌中用的顆粒編號較多的是EACH的以及KingsMAN KingRAM等等。海盜船內(nèi)存主要用于服務(wù)器，我們大家在購買電腦的時(shí)候，在資金比較寬裕的情況下，我們推薦 Kingstone的VALUERAM盒裝內(nèi)存，以及宇詹盒裝內(nèi)存（建議購買英飛凌顆粒的）這兩種內(nèi)存提供內(nèi)存的終身質(zhì)保，大家完全可以放心使用，如果資金不是很寬裕，建議購買HY的內(nèi)存，經(jīng)實(shí)踐證明HY的內(nèi)存的兼容性在所有的內(nèi)存中首屈一指。

　　但是，HY的內(nèi)存假貨泛濫，關(guān)于其造假及售假方法將在下文中提到。如果你要購買HY的內(nèi)存，那我建議您一定要買富豪代理或者金霞代理的盒裝正品。如果貪圖便宜選擇散裝條子，那就要考考您的眼力了。基本上，我們不推薦您購買雜牌內(nèi)存，雜牌內(nèi)存在使用壽命和質(zhì)保上都不能令人滿意，最后說一下Kingmax內(nèi)存我們之所以不推薦，就是因?yàn)镵ingmax內(nèi)存與某些主板的兼容性不是很好但其自身的品質(zhì)和性能絕對也是一流的。我們希望您在購買的時(shí)候一定要試試，看有沒有兼容性問題。

下面我們來說一下相同品牌內(nèi)存的選購。讓我來為大家解讀一些品牌內(nèi)存的顆粒編號含義：

HY XX X XX XX XX X X X X X - XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12

　　這個(gè)是市場上流行的現(xiàn)代內(nèi)存的標(biāo)號。對應(yīng)位置上

1＝不用我說你也看出來了當(dāng)然是代表HY生產(chǎn)的顆粒嘍
2＝內(nèi)存芯片類型：5D ：DDR SDRAMS
3＝工藝與工作電壓V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V
4＝芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref
5＝芯片結(jié)構(gòu)（數(shù)據(jù)寬度）4：X4（數(shù)據(jù)寬度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32
6＝BANK數(shù)量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS
7＝I/O界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2
8＝芯片內(nèi)核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代
9＝能量等級： 空白 :普通 L :低能耗
10＝封裝形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA
11＝工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B 　L :DDR200
12＝廠商芯片批號

kvr *** X ** * c* / ***
1 2 3 4 5 6 7 8

1＝KVR代表kingston value RAM
2＝外頻速度
3＝一般為X
4＝64為沒有ECC；72代表有ECC
5＝有S字符表示筆記本專用內(nèi)存，沒有S字符表示普通的臺式機(jī)或是服務(wù)器內(nèi)存
6＝3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=2
7＝分隔符號
8＝內(nèi)存的容量

　　我們以金士頓ValueRAM DDR內(nèi)存編號為例：編號為ValueRAM KVR400X64C25/256 這條內(nèi)存就是。金士頓ValueRAM外頻400MHZ不帶有ECC校驗(yàn)的CAS=2.5的256M內(nèi)存，我想通過以上的方法，更能方便大家對于內(nèi)存的理解和選購。接下來我在強(qiáng)調(diào)一些有關(guān)內(nèi)存的常見問題：

1、內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別？

　　 單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如 Intel 82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。

2、內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思？

　　這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。

3、內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同？

　　什么是雙通道DDR技術(shù)呢？需要說明的是，它并非我前面提到的DDRII，而是一種可以讓 2條DDR內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對于P4處理器的好處可謂不言而喻。400MHz FSB的P4A處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2GB/s，而533MHz FSB的P4B處理器的吞吐能力更是達(dá)到了4.3GB/s，而P4C處理器更是達(dá)到了800MHZ FSB從而需要6.4G的內(nèi)存帶寬。但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G/s 的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內(nèi)存，將能夠提供6.4G/s的內(nèi)存帶寬，從而根本的解決了CPU和內(nèi)存之間的瓶頸問題。

4、DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同？

　　DDR-II內(nèi)存是相對于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為 400MHz或更高。主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的DDR-333產(chǎn)品直接過渡到DDR-II。DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，容量為 18MB/36MB/72MB，最大288MB，字節(jié)架構(gòu)為X8、X18、X36，讀取反應(yīng)時(shí)間為2.5個(gè)時(shí)鐘周期。

　　通過將DLL(delay-locked loop，延時(shí)鎖定回路)設(shè)計(jì)到內(nèi)存中(這與Rambus設(shè)計(jì)理念相似)，輸出的數(shù)據(jù)效率提升65%左右，DDR數(shù)據(jù)傳送方式為每周期32個(gè)字節(jié)，并且可以隨工作頻率的提升達(dá)到更高性能。已知道的規(guī)格有：系統(tǒng)內(nèi)存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、 667MHz(6.4GB/s帶寬)三種，顯卡(默認(rèn)規(guī)格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內(nèi)存均在1.8V下工作，單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數(shù)量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分，與現(xiàn)在的DDR內(nèi)存不相容。

　　 最后，我將為大家講授內(nèi)存的造假售假方法。（以下文字未經(jīng)內(nèi)存廠商證實(shí)，僅僅為筆者長時(shí)間的經(jīng)驗(yàn)積累，不承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任，特此聲明）
現(xiàn)在的假貨內(nèi)存主要集中在HY普通條子和某些大廠內(nèi)存（例如這段時(shí)間沸沸揚(yáng)揚(yáng)的Kingmax）上面。這里面，大廠的內(nèi)存條比較容易識別，一般來講，大廠盒裝的正品內(nèi)存在他的內(nèi)存顆?；蛘逷CB上都會(huì)有廠商的鐳射防偽標(biāo)簽，內(nèi)存標(biāo)簽清晰，字體規(guī)范，Kingmax等品牌內(nèi)存還帶有800免費(fèi)的防偽咨詢電話，現(xiàn)場打電話就可以辨別內(nèi)存的真?zhèn)?。因?yàn)榇髲S的內(nèi)存價(jià)格相對透明，因此你在購買內(nèi)存的時(shí)候只要不貪圖便宜，就應(yīng)該可以買到正品大廠內(nèi)存。

　　而現(xiàn)在最難鑒別的就是HY的內(nèi)存，據(jù)筆者調(diào)查，現(xiàn)在市場上50%以上的HY散裝內(nèi)存都是假貨，但是，假貨也分檔次。比較有“良心”的假貨就是我們通常所說的REMARK（打磨）最常見的就是將HY的內(nèi)存顆粒表面用有機(jī)溶劑清洗，再標(biāo)上更高內(nèi)存性能的編號，例如將DDR266的內(nèi)存打磨成DDR333的內(nèi)存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax等大廠的內(nèi)存出售，謀取利益。這樣的內(nèi)存在容量上沒有問題，但是因?yàn)橐话愣际窃诔瑯?biāo)準(zhǔn)頻率下使用，必然導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定。這種內(nèi)存一般很好辨別，只要用手搓內(nèi)存顆粒表面，用指甲刮，就能輕易的將表面的字跡去除，從而辨別真假。

　　但是，一些手段比較高明的造假者，做出來的內(nèi)存表面進(jìn)行了特殊處理，讓你不能夠輕易的抹除字跡。對于這種內(nèi)存，就要考考您的眼力了。一般說來，正品的內(nèi)存字跡都是激光“刻”印在內(nèi)存顆粒上的，會(huì)在內(nèi)存顆粒上留下痕跡，打磨內(nèi)存的奸商必然覆蓋這些痕跡，看上去字體不是那么的規(guī)范，字的大小也不是很一致。字體的邊角不夠圓滑。辨別類似的內(nèi)存，就需要一些久經(jīng)殺場的老鳥了。下面我將告訴大家一種最為狠毒的制假方法，那就是本文開頭提到的“油條”了。

　　我先簡要講述一下此種內(nèi)存的制作“工藝”。這種內(nèi)存主要生長在我國南部省份，以深圳為甚。

　　首先，不法奸商用極其低廉的價(jià)格（1000元人民幣一噸）收購國外運(yùn)來的洋垃圾，或者是在中國市場上幾乎可以不計(jì)成本的收購已經(jīng)燒掉或者損壞的內(nèi)存條，將這些內(nèi)存放到一個(gè)大油鍋里面煮，去掉焊錫，清除焊點(diǎn)和內(nèi)存表面的字跡。然后用香蕉水（劇毒，有強(qiáng)烈刺激氣味）進(jìn)行清洗。
然后，挑出相同的芯片重新焊在PCB上，再標(biāo)上內(nèi)存編號進(jìn)行銷售，這樣的內(nèi)存千條采購價(jià)格以256M為例只有120元左右?？梢哉f相當(dāng)具有“性價(jià)比”，從而成為不法奸商們手中的“極品”以牟取暴利。這種內(nèi)存可以說是性能和穩(wěn)定性皆無。但是，我們不得不佩服中國人的制假方法，他們把這種內(nèi)存做的和HY內(nèi)存一模一樣，只是內(nèi)存PCB顏色看上去有些許的不均勻。但是，這種內(nèi)存基本上還是很好辨別，大家在購買內(nèi)存的時(shí)候，不要只看內(nèi)存的表面字跡，應(yīng)該注意一下內(nèi)存顆粒右下角的內(nèi)存編號一般都是數(shù)字例如56787之類的，這種內(nèi)存由于大批量處理，一般在一條內(nèi)存上你會(huì)發(fā)現(xiàn)有2種甚至更多種的內(nèi)存顆粒只要抓住這點(diǎn)，基本上可以識別出這種假貨內(nèi)存，另外，我們還可以聞一下內(nèi)存，都會(huì)有一些余味（香蕉水的味道）

　　 最后，筆者奉勸您在購買內(nèi)存的過程中，不要貪圖幾十元的小便宜，而為您的系統(tǒng)帶來不穩(wěn)定甚至導(dǎo)致整機(jī)的故障。希望通過本文，能夠?qū)δ趦?nèi)存的選購方面有所幫助。希望大家都能夠買到穩(wěn)定性能一流的內(nèi)存。（完）