低電壓內(nèi)存和普通內(nèi)存有什么區(qū)別

　　低電壓內(nèi)存和普通內(nèi)存有什么區(qū)別?千萬(wàn)別買錯(cuò)!內(nèi)存的標(biāo)壓和低壓大不同，下面學(xué)習(xí)啦小編給大家介紹下兩者的區(qū)別，希望對(duì)大家有幫助!

　　低電壓內(nèi)存和普通內(nèi)存有什么區(qū)別?

　　內(nèi)存的標(biāo)壓和低壓大不同

　　購(gòu)買電腦或者筆記本時(shí)，內(nèi)存都是一個(gè)重要的參數(shù)，很多硬件小白即使對(duì)于電腦什么都不懂也知道要看內(nèi)存有多大，頻率是多少。從這點(diǎn)就能夠反映出內(nèi)存對(duì)于普通用戶的重要性了，的確內(nèi)存對(duì)于電腦的運(yùn)算有著很重要的影響。而選購(gòu)內(nèi)存的時(shí)你是否忽略了它是低壓還是高壓呢?對(duì)于小白而言買個(gè)內(nèi)存條回去想提升自己電腦性能，結(jié)果卻發(fā)現(xiàn)不支持。這才是真悲劇。那么到底低壓內(nèi)存和高壓內(nèi)存有什么區(qū)別呢?它們之間哪個(gè)好呢?今天筆者就對(duì)此做了一番調(diào)查。希望能夠幫助到有選購(gòu)內(nèi)存的用戶們。

　　內(nèi)存的標(biāo)壓和低壓傻傻分不清

　　低壓內(nèi)存

　　很多人在使用筆記本過程中，經(jīng)常都會(huì)關(guān)注自己的CPU性能，我們會(huì)看到筆記本CPU型號(hào)后面有通常“U”，“M”等字樣，而“U”是低壓的意思，“M”是標(biāo)壓的意思。內(nèi)存也同樣有低壓高壓分別，選購(gòu)時(shí)一定要注意

　　低壓內(nèi)存是什么

　　目前DDR4尚未大規(guī)模的普及開來(lái)，所以筆者就拿市場(chǎng)主流的DDR3內(nèi)存作為講解的對(duì)象。

　　DDR3和DDR3L很多小白用戶也許會(huì)問為什么后面多了一個(gè)L，其實(shí)這個(gè)L就代表著低壓內(nèi)存。首先我們要說(shuō)的是，低壓內(nèi)存這個(gè)概念主要是針對(duì)筆記本而言的，在Haswell之前的上一代lvyBridge平臺(tái)上，英特爾就加入了對(duì)DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多l(xiāng)vyBridge平臺(tái)超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了。可惜，lvyBridge時(shí)代的DDR3L內(nèi)存還屬于“稀缺資源”，在2013年初市面上能買到的DDR3L內(nèi)存也就僅有鎂光( Crucial英睿達(dá))和三星黑武士等幾款而已。但從Haswell開始，“DDR3L”這種低壓版內(nèi)存走進(jìn)了我們的視野。

　　標(biāo)準(zhǔn)電壓版光威4GB筆記本內(nèi)存

　　低電壓版光威4GB筆記本內(nèi)存

　　筆記本內(nèi)存的標(biāo)簽上都合有一組“PC3-XXXXX”或“PC3L-XXXXX”的參數(shù)，其中PC3就代表該內(nèi)存為標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3，工作電壓為1.5V;而PC3L則意味著該內(nèi)存為低壓版的DDR3L，工作電壓為1.35V(還有1.28V之說(shuō))。

　　DDR3L全稱“DDR3 Low Voltage”(低電壓版DDR3)，DDR3和DDR3L也就是在電壓規(guī)格上不一樣，DDR3是標(biāo)準(zhǔn)電壓1.5V，而DDR3L是低電壓1.35V，DDR3L是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)向社會(huì)免費(fèi)公開了低電壓版內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范“JEDEC DDR3L”，將運(yùn)行電壓從標(biāo)準(zhǔn)版DDR3的1.5V進(jìn)一步降低到了1.35V，并保持功能上的全面兼容，在同等性能和負(fù)載下相比標(biāo)準(zhǔn)版DDR3功耗可降低15%或者更多，而相比于1.8V DDR2更是可以節(jié)能40%，舉個(gè)例子，也就是說(shuō)一根4G DDR3L 1600筆記本內(nèi)存要比DDR3節(jié)省2W功耗，如果組成雙通道就節(jié)省4W。

　　筆記本用戶只能選低壓內(nèi)存

　　更持久的使用時(shí)間一直是筆記本不斷追求的核心賣點(diǎn)，CPU通過不斷降低的TDP來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來(lái)減小電池的消耗。從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1( 2.6V)、DDR2( 1.8V)、DDR3( 1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U( 1.25V)，內(nèi)存的“升級(jí)史”其實(shí)也是電壓的“降級(jí)史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量(性能不受影響)。

　　筆記本選低壓內(nèi)存

　　所以筆記本用戶在升級(jí)本條時(shí)要看清說(shuō)明，有的筆記本只支持低壓內(nèi)存，換句話來(lái)說(shuō)低壓內(nèi)存也就是為筆記本等這樣對(duì)于體積和續(xù)航有一定要求的設(shè)備設(shè)計(jì)的，所以購(gòu)買內(nèi)存時(shí)千萬(wàn)要注意，不要不小心購(gòu)買了PC的標(biāo)壓內(nèi)存，回頭筆記本卻不能用，造成了經(jīng)濟(jì)上的損失。

　　相反臺(tái)式機(jī)用戶就不需要選擇低壓內(nèi)存了，雖然說(shuō)低電壓的內(nèi)存在性能上并不比標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存差多少，但目前市面上賣的大多還是標(biāo)準(zhǔn)電壓DDR3，畢竟我們不缺那點(diǎn)電費(fèi)和錢，別出現(xiàn)機(jī)器上裝一條1.5V的DDR3，然后又搭配一條1.35V的DDR3L。

　　低壓內(nèi)存DDR3L在什么平臺(tái)下適用

　　我們知道低壓內(nèi)存是從Haswell平臺(tái)開始大量進(jìn)入消費(fèi)者視線，那么低壓版的DDR3L能否工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本上?”

　　Skylake-S支持DDR3L低壓內(nèi)存

　　這個(gè)答案是肯定的， DDR3L內(nèi)存可以工作在非Haswell平臺(tái)。理論上Sandy Bridge(2011年發(fā)布，下文簡(jiǎn)稱SNB，屬于二代智能酷睿處理器)和更老的Calpella(2010年發(fā)布，第一代智能酷睿處理器)平臺(tái)筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識(shí)別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。但需要注意的，DDR3L內(nèi)存普遍從單條4GB容量起步，甚至還有單條8GB的版本。但是，包括Calpella平臺(tái)在內(nèi)的老款筆記本(芯片組為HM55、GM45/PM45或更老)，也就是2011年之前的機(jī)器最高僅支持單條4GB內(nèi)存。還有就是最新發(fā)布的Skylake-S僅支持DDR4以及DDR3L兩種內(nèi)存，不支持DDR3內(nèi)存了。消費(fèi)者在購(gòu)買時(shí)需要了解自己的電腦平臺(tái)之后在進(jìn)行選擇購(gòu)買。