關(guān)于內(nèi)存條的知識(shí)，新手必看

　　下面我們來(lái)說(shuō)一下相同品牌內(nèi)存的選購(gòu)。讓我來(lái)為大家解讀一些品牌內(nèi)存的顆粒編號(hào)含義：

　　HY XX X XX XX XX X X X X X - XX

　　1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12

　　這個(gè)是市場(chǎng)上流行的現(xiàn)代內(nèi)存的標(biāo)號(hào)。對(duì)應(yīng)位置上

　　1=不用我說(shuō)你也看出來(lái)了當(dāng)然是代表HY生產(chǎn)的顆粒嘍

　　2=內(nèi)存芯片類(lèi)型：5D ：DDR SDRAMS

　　3=工藝與工作電壓V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V

　　4=芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref

　　5=芯片結(jié)構(gòu)(數(shù)據(jù)寬度)4：X4(數(shù)據(jù)寬度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32

　　6=BANK數(shù)量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS

　　7=I/O界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2

　　8=芯片內(nèi)核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代

　　9=能量等級(jí)： 空白 :普通 L :低能耗

　　10=封裝形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA

　　11=工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B 　L :DDR200

　　12=廠商芯片批號(hào)

　　kvr *** X ** * c* / ***

　　1 2 3 4 5 6 7 8

　　1=KVR代表kingston value RAM

　　2=外頻速度

　　3=一般為X

　　4=64為沒(méi)有ECC;72代表有ECC

　　5=有S字符表示筆記本專(zhuān)用內(nèi)存，沒(méi)有S字符表示普通的臺(tái)式機(jī)或是服務(wù)器內(nèi)存

　　6=3：CAS=3;2.5：CAS=2.5;2：CAS=2

　　7=分隔符號(hào)

　　8=內(nèi)存的容量

　　我們以金士頓ValueRAM DDR內(nèi)存編號(hào)為例：編號(hào)為ValueRAM KVR400X64C25/256 這條內(nèi)存就是。金士頓ValueRAM外頻400MHZ不帶有ECC校驗(yàn)的CAS=2.5的256M內(nèi)存，我想通過(guò)以上的方法，更能方便大家對(duì)于內(nèi)存的理解和選購(gòu)。接下來(lái)我在強(qiáng)調(diào)一些有關(guān)內(nèi)存的常見(jiàn)問(wèn)題：

　　1、內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別?

　　單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如 Intel 82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。

　　2、內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思?

　　這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說(shuō)的2-2-3按順序說(shuō)的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好;CL(CAS Latency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。

　　3、內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同?

　　什么是雙通道DDR技術(shù)呢?需要說(shuō)明的是，它并非我前面提到的DDRII，而是一種可以讓 2條DDR內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來(lái)的基礎(chǔ)上增加一倍，這對(duì)于P4處理器的好處可謂不言而喻。400MHz FSB的P4A處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2GB/s，而533MHz FSB的P4B處理器的吞吐能力更是達(dá)到了4.3GB/s，而P4C處理器更是達(dá)到了800MHZ FSB從而需要6.4G的內(nèi)存帶寬。但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066規(guī)范外，根本沒(méi)有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G/s 的帶寬。也就是說(shuō)，如果我們搭建雙通道DDR400的內(nèi)存，將能夠提供6.4G/s的內(nèi)存帶寬，從而根本的解決了CPU和內(nèi)存之間的瓶頸問(wèn)題。

　　4、DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同?

　　DDR-II內(nèi)存是相對(duì)于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為 400MHz或更高。主流內(nèi)存市場(chǎng)將從現(xiàn)在的DDR-333產(chǎn)品直接過(guò)渡到DDR-II。DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，容量為 18MB/36MB/72MB，最大288MB，字節(jié)架構(gòu)為X8、X18、X36，讀取反應(yīng)時(shí)間為2.5個(gè)時(shí)鐘周期。

　　通過(guò)將DLL(delay-locked loop，延時(shí)鎖定回路)設(shè)計(jì)到內(nèi)存中(這與Rambus設(shè)計(jì)理念相似)，輸出的數(shù)據(jù)效率提升65%左右，DDR數(shù)據(jù)傳送方式為每周期32個(gè)字節(jié)，并且可以隨工作頻率的提升達(dá)到更高性能。已知道的規(guī)格有：系統(tǒng)內(nèi)存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、 667MHz(6.4GB/s帶寬)三種，顯卡(默認(rèn)規(guī)格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內(nèi)存均在1.8V下工作，單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數(shù)量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分，與現(xiàn)在的DDR內(nèi)存不相容。

　　最后，我將為大家講授內(nèi)存的造假售假方法。(以下文字未經(jīng)內(nèi)存廠商證實(shí)，僅僅為筆者長(zhǎng)時(shí)間的經(jīng)驗(yàn)積累，不承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任，特此聲明)

　　現(xiàn)在的假貨內(nèi)存主要集中在HY普通條子和某些大廠內(nèi)存(例如這段時(shí)間沸沸揚(yáng)揚(yáng)的Kingmax)上面。這里面，大廠的內(nèi)存條比較容易識(shí)別，一般來(lái)講，大廠盒裝的正品內(nèi)存在他的內(nèi)存顆粒或者PCB上都會(huì)有廠商的鐳射防偽標(biāo)簽，內(nèi)存標(biāo)簽清晰，字體規(guī)范，Kingmax等品牌內(nèi)存還帶有800免費(fèi)的防偽咨詢(xún)電話，現(xiàn)場(chǎng)打電話就可以辨別內(nèi)存的真?zhèn)?。因?yàn)榇髲S的內(nèi)存價(jià)格相對(duì)透明，因此你在購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存的時(shí)候只要不貪圖便宜，就應(yīng)該可以買(mǎi)到正品大廠內(nèi)存。

　　而現(xiàn)在最難鑒別的就是HY的內(nèi)存，據(jù)筆者調(diào)查，現(xiàn)在市場(chǎng)上50%以上的HY散裝內(nèi)存都是假貨，但是，假貨也分檔次。比較有“良心”的假貨就是我們通常所說(shuō)的REMARK(打磨)最常見(jiàn)的就是將HY的內(nèi)存顆粒表面用有機(jī)溶劑清洗，再標(biāo)上更高內(nèi)存性能的編號(hào)，例如將DDR266的內(nèi)存打磨成DDR333的內(nèi)存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax等大廠的內(nèi)存出售，謀取利益。這樣的內(nèi)存在容量上沒(méi)有問(wèn)題，但是因?yàn)橐话愣际窃诔瑯?biāo)準(zhǔn)頻率下使用，必然導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定。這種內(nèi)存一般很好辨別，只要用手搓內(nèi)存顆粒表面，用指甲刮，就能輕易的將表面的字跡去除，從而辨別真假。

　　但是，一些手段比較高明的造假者，做出來(lái)的內(nèi)存表面進(jìn)行了特殊處理，讓你不能夠輕易的抹除字跡。對(duì)于這種內(nèi)存，就要考考您的眼力了。一般說(shuō)來(lái)，正品的內(nèi)存字跡都是激光“刻”印在內(nèi)存顆粒上的，會(huì)在內(nèi)存顆粒上留下痕跡，打磨內(nèi)存的奸商必然覆蓋這些痕跡，看上去字體不是那么的規(guī)范，字的大小也不是很一致。字體的邊角不夠圓滑。辨別類(lèi)似的內(nèi)存，就需要一些久經(jīng)殺場(chǎng)的老鳥(niǎo)了。下面我將告訴大家一種最為狠毒的制假方法，那就是本文開(kāi)頭提到的“油條”了。

　　我先簡(jiǎn)要講述一下此種內(nèi)存的制作“工藝”。這種內(nèi)存主要生長(zhǎng)在我國(guó)南部省份，以深圳為甚。

　　首先，不法奸商用極其低廉的價(jià)格(1000元人民幣一噸)收購(gòu)國(guó)外運(yùn)來(lái)的洋垃圾，或者是在中國(guó)市場(chǎng)上幾乎可以不計(jì)成本的收購(gòu)已經(jīng)燒掉或者損壞的內(nèi)存條，將這些內(nèi)存放到一個(gè)大油鍋里面煮，去掉焊錫，清除焊點(diǎn)和內(nèi)存表面的字跡。然后用香蕉水(劇毒，有強(qiáng)烈刺激氣味)進(jìn)行清洗。

　　然后，挑出相同的芯片重新焊在PCB上，再標(biāo)上內(nèi)存編號(hào)進(jìn)行銷(xiāo)售，這樣的內(nèi)存千條采購(gòu)價(jià)格以256M為例只有120元左右?？梢哉f(shuō)相當(dāng)具有“性?xún)r(jià)比”，從而成為不法奸商們手中的“極品”以牟取暴利。這種內(nèi)存可以說(shuō)是性能和穩(wěn)定性皆無(wú)。但是，我們不得不佩服中國(guó)人的制假方法，他們把這種內(nèi)存做的和HY內(nèi)存一模一樣，只是內(nèi)存PCB顏色看上去有些許的不均勻。但是，這種內(nèi)存基本上還是很好辨別，大家在購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存的時(shí)候，不要只看內(nèi)存的表面字跡，應(yīng)該注意一下內(nèi)存顆粒右下角的內(nèi)存編號(hào)一般都是數(shù)字例如56787之類(lèi)的，這種內(nèi)存由于大批量處理，一般在一條內(nèi)存上你會(huì)發(fā)現(xiàn)有2種甚至更多種的內(nèi)存顆粒只要抓住這點(diǎn)，基本上可以識(shí)別出這種假貨內(nèi)存，另外，我們還可以聞一下內(nèi)存，都會(huì)有一些余味(香蕉水的味道)

　　最后，筆者奉勸您在購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存的過(guò)程中，不要貪圖幾十元的小便宜，而為您的系統(tǒng)帶來(lái)不穩(wěn)定甚至導(dǎo)致整機(jī)的故障。希望通過(guò)本文，能夠?qū)δ趦?nèi)存的選購(gòu)方面有所幫助。希望大家都能夠買(mǎi)到穩(wěn)定性能一流的內(nèi)存