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內(nèi)存條常識介紹

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  今天,學(xué)習(xí)啦小編就給大家介紹內(nèi)存條常識,讓大家更了解主板,希望能幫到廣大網(wǎng)友。

  一、看懂內(nèi)存條

  我們平常所說的“內(nèi)存”大都是指“內(nèi)存條”。那么什么是“內(nèi)存條”呢?常見的“內(nèi)存條”又有哪些類型呢?

  1.內(nèi)存條的誕生

  當CPU在工作時,需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù),但由于硬盤這個“倉庫”太大,加上離CPU也很“遠”,運輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢,導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個問題,人們便在CPU與外部存儲器之間,建了一個“小倉庫”—內(nèi)存。

  內(nèi)存雖然容量不大,一般只有幾十MB到幾百MB,但中轉(zhuǎn)速度非??欤绱艘粊?,當CPU需要數(shù)據(jù)時,事先可以將部分數(shù)據(jù)存放在內(nèi)存中,以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個“中轉(zhuǎn)倉庫”,因此它并不能用來長時間存儲數(shù)據(jù)。

  2.常見的內(nèi)存條

  目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。

  曾經(jīng)主流—SDRAM

  SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態(tài)隨機存儲器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指,是直接插在內(nèi)存條插槽中的,因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”,英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。

  隨著處理器前端總線的不斷提高,SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了,早已退出了主流市場。

  今日主流—DDR SDRAM

  DDR SDRAM(簡稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM,雙倍數(shù)據(jù)速度)技術(shù)的SDRAM,與普通SDRAM相比,在同一時鐘周期內(nèi),DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù),而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。

  從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大,它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內(nèi)存條有184個引腳,金手指中也只有一個缺口,而SDRAM內(nèi)存條是168個引腳,并且有兩個缺口。

  根據(jù)DDR內(nèi)存條的工作頻率,它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型:與SDRAM一樣,DDR也是與系統(tǒng)總線頻率 同步的,不過因為雙倍數(shù)據(jù)傳輸,因此工作在133MHz頻率下的DDR相當于266MHz的SDRAM,于是便用DDR266來表示。

  小提示:工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率,例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz,而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內(nèi)存而言,頻率越高,其帶寬越大。

  除了用工作頻率來標示DDR內(nèi)存條之外,有時也用帶寬值來標示,例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/s,所以又用PC2100來標示它,于是DDR333就是PC2700,DDR400就是PC3200了。

  小提示:內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”,是指單位時間內(nèi)通過內(nèi)存的數(shù)據(jù)量,通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內(nèi)存帶寬的計算方法:內(nèi)存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù),DDR的系數(shù)為2)。

  由于DDR內(nèi)存條價格低廉,性能出色,因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

  過時的貴族—RDRAM

  RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄,但其時鐘頻率要高得多。

  從外觀上來看,RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點相似。

  從技術(shù)上來看,RDRAM是一種比較先進的內(nèi)存,但由于價格高,在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機市場。

  3.內(nèi)存的封裝

  目前內(nèi)存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種,封裝方式也影響著內(nèi)存條的性能優(yōu)劣。

  TSOP封裝:TOSP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)的一個典型特點就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便,可靠性比較高,是目前的主流封裝方式。

  BGA封裝:BGA叫做“球柵陣列封裝”,其最大的特點就是芯片的引腳數(shù)目增多了,組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內(nèi)存在體積不變的情況下將內(nèi)存容量提高兩到三倍,與TSOP相比,它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。

  CSP封裝:CSP(Chip Scale Package,芯片級封裝)作為新一代封裝方式,其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小,同時也更薄,更能提高內(nèi)存芯片長時間運行的可靠性,芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內(nèi)存。

  二、內(nèi)存強檔

  要進一步了解內(nèi)存,以下的內(nèi)容一定不能錯過。其中內(nèi)存的時鐘周期、存取時間和CAS延遲時間是衡量內(nèi)存性能比較直接的重要參數(shù),它們都可以在主板BIOS中設(shè)置,這個問題將在以后介紹BIOS的時候詳細闡述。

  1.時鐘周期(TCK)

  TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫,即內(nèi)存時鐘周期。它代表了內(nèi)存可以運行的最大工作頻率,數(shù)字越小說明內(nèi)存所能運行的頻率就越高。時鐘周期與內(nèi)存的工作頻率是成倒數(shù)的, 即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的內(nèi)存芯片,“-10”表示它的運行時鐘周期為10ns,即可以在100MHz的頻率下正常工作。

  2.存取時間(TAC)

  TAC(Access Time From CLK)表示“存取時間”。與時鐘周期不同,TAC僅僅代表訪問數(shù)據(jù)所需要的時間。如一塊標有“-7J”字樣的內(nèi)存芯片說明該內(nèi)存條的存取時間是7ns。 存取時間越短,則該內(nèi)存條的性能越好,比如說兩根內(nèi)存條都工作在133MHz下,其中一根的存取時間為6ns,另外一根是7ns,則前者的速度要好于后 者。

  3.CAS延遲時間(CL)

  CL(CAS Latency)是內(nèi)存性能的一個重要指標,它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時間。當電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時,在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”,而 “緩沖期”的時間長度,就是這個CL了。內(nèi)存的CL值越低越好,因此,縮短CAS的周期有助于加快內(nèi)存在同一頻率下的工作速度。

  4.奇偶校驗(ECC)

  內(nèi)存是一種數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)“倉庫”,而在頻繁的中轉(zhuǎn)過程中,一旦搞錯了數(shù)據(jù)怎么辦?而ECC就是一種數(shù)據(jù)檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數(shù)據(jù)的正確性,還能糾正大多數(shù)錯誤。普通PC中一般不用這種內(nèi)存,它們一般應(yīng)用在高端的服務(wù)器電腦中。

  目前市場上主流的內(nèi)存有SDRAM和DDR SDRAM,內(nèi)存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現(xiàn)代等等。

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