內(nèi)存DDR4是什么?對(duì)于接觸電腦硬件知識(shí)不多的用戶來說,這想必很陌生.所以下面就由學(xué)習(xí)啦小編來給大家說說內(nèi)存DDR4是什么,歡迎大家前來閱讀!

　　DDR，又稱雙倍速率SDRAM。Dual Data Rate SDRAM DDR SDRAM是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存。美國(guó)JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000年6月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范，JESD79由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在1333MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM 的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM 略高一些，但遠(yuǎn)小于Rambus的價(jià)格。DDR存儲(chǔ)器代表著未來能與Rambu 相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。

　　內(nèi)存規(guī)格

　　DDR4內(nèi)存將會(huì)擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號(hào)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認(rèn)為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號(hào)技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達(dá)到6.4Gbps。由于通過一 個(gè)DRAM實(shí)現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會(huì)同時(shí)存在基于傳統(tǒng)SE信號(hào)和差分信號(hào)的兩種規(guī)格產(chǎn)品。

　　根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會(huì)是Single-endedSignaling(傳統(tǒng)SE信號(hào))方式DifferentialSignaling(差分信號(hào)技術(shù))方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對(duì)此表示了確認(rèn)。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會(huì)看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。

　　內(nèi)存現(xiàn)狀

　　DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因?yàn)镈DR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存會(huì)于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。

　　據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大規(guī)模用于服務(wù)器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處。

　　至于桌面上，22nmHaswell、14nmBroadwell都會(huì)使用相同的LGA1150封裝接口，內(nèi)存控制器自然也都局限于DDR3，DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工藝新架構(gòu)“Skylake”，那就是大約2015年的事情了。

　　這樣的步調(diào)可不算快，之前市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)曾經(jīng)認(rèn)為，DDR4內(nèi)存到2015年就應(yīng)該基本普及了。不過也好，升級(jí)太快了不見得是什么好事兒，大家可以更安心地享受廉價(jià)DDR3了。

　　另外，如果你擔(dān)心Haswell、Broadwell會(huì)因此在內(nèi)存性能上無所作為，倒也大可不必，因?yàn)橐粍tDDR3的頻率肯定會(huì)越來越高，二者這兩代新處理器會(huì)有超低延遲內(nèi)部?jī)?nèi)存控制器總線、刷功能被浮點(diǎn)峰值發(fā)射率、FMA運(yùn)算、四級(jí)緩存等新特性，都有利于帶來更好的內(nèi)存性能。

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