內(nèi)存常見術(shù)語介紹知識(shí)

　　本篇文章學(xué)習(xí)啦小編主要推薦的是內(nèi)存常見術(shù)語介紹。一起來學(xué)習(xí)吧!

　　BANK：BANK是指內(nèi)存插槽的計(jì)算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流的基本運(yùn)作單位。

　　內(nèi)存的速度：內(nèi)存的速度是以每筆CPU與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費(fèi)的時(shí)間來計(jì)算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。

　　內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是 DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC 的主機(jī)板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上 DRAM芯片(chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片(chips)的容量，是決定內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)的主要因素。

　　SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等的記憶IC，可分為以下2種型態(tài)：

　　72PIN：72腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持32位的數(shù)據(jù)處理量。

　　30PIN：30腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持8位的數(shù)據(jù)處理量。

　　DIMM (Dual In-line Memory Module)：(168PIN) 用來支持64位或是更寬的總線，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計(jì)算機(jī)或是服務(wù)器。

　　RIMM：RIMM模塊是下一世代的內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持的內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá)1.6Gbyte/sec。

　　SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) (144PIN)： 這是一種改良型的DIMM模塊，比一般的DIMM模塊來得小，應(yīng)用于筆記型計(jì)算機(jī)、列表機(jī)、傳真機(jī)或是各種終端機(jī)等。

　　PLL： 為鎖相回路,用來統(tǒng)一整合時(shí)脈訊號(hào),使內(nèi)存能正確的存取資料。

　　Rambus 內(nèi)存模塊 (184PIN)： 采用Direct RDRAM的內(nèi)存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料的輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用的DIMM模塊168pin，并列輸出的架構(gòu)有很大的差異。

　　6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board 用6層或4層的玻璃纖維做成，通常SDRAM會(huì)使用6層板，雖然會(huì)增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。

　　Register：是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達(dá)到同步的目的。

　　SPD：為Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在EEPROM內(nèi)的碼，以往開機(jī)時(shí)BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測的動(dòng)作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內(nèi)存的相關(guān)資料。

　　Parity和ECC的比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼 (error detection codes)上，他們增加一個(gè)檢查位給每個(gè)資料的字元(或字節(jié))，并且能夠偵測到一個(gè)字符中所有奇(偶)同位的錯(cuò)誤，但Parity有一個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)計(jì)算機(jī)查到某個(gè)Byte有錯(cuò)誤時(shí)，并不能確定錯(cuò)誤在哪一個(gè)位，也就無法修正錯(cuò)誤。

　　緩沖器和無緩沖器(Buffer V.S. Unbuffer)：有緩沖器的DIMM 是用來改善時(shí)序(timing)問題的一種方法無緩沖器的DIMM雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。若將無緩沖器的DIMM用于速度為100Mhz的主機(jī)板上的話，將會(huì)有存取不良的影響。而有緩沖器的DIMM則可使用四條以上的內(nèi)存，但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會(huì)影響其執(zhí)行效果。換言之，有緩沖器的DIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。

　　自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時(shí)間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計(jì)算機(jī)或可攜式計(jì)算機(jī)等的省電需求高的計(jì)算機(jī)。

　　預(yù)充電時(shí)間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)自主存儲(chǔ)器讀取第一筆資料時(shí)，所需的準(zhǔn)備時(shí)間為3個(gè)外部時(shí)脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準(zhǔn)備時(shí)間，相差一個(gè)時(shí)脈，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效能并無顯著影響。

　　時(shí)鐘信號(hào) (Clock)：時(shí)鐘信號(hào)是提供給同步內(nèi)存做訊號(hào)同步之用，同步記憶體的存取動(dòng)作必需與時(shí)鐘信號(hào)同步。