iphone6可以擴(kuò)展內(nèi)存嗎
iphone6可以擴(kuò)展內(nèi)存嗎
蘋果公司1980年12月12日公開招股上市，2012年創(chuàng)下6235億美元的市值記錄，截至2014年6月，蘋果公司已經(jīng)連續(xù)三年成為全球市值最大公司。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6可以擴(kuò)展內(nèi)存嗎的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6可以擴(kuò)展內(nèi)存嗎：
不可以。
iphone6采用的固定式閃存、內(nèi)存，閃存芯片/內(nèi)存芯片焊接在主板上，不可以拓展存儲空間/內(nèi)存。
iPhone 6是蘋果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手機(jī)，已于2014年9月19日正式上市。
iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率為1334*750像素，內(nèi)置64位構(gòu)架的蘋果A8處理器，性能提升非常明顯;同時(shí)還搭配全新的M8協(xié)處理器，專為健康應(yīng)用所設(shè)計(jì);采用后置800萬像素鏡頭，前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別，首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機(jī)，4G LTE連接速度可達(dá)150Mbps，支持多達(dá)20個(gè)LTE頻段。
2013年11月4日極特先進(jìn)宣布與蘋果簽訂多年藍(lán)寶石材料供應(yīng)合約。即將擁有/經(jīng)營ASF熔礦爐以及相關(guān)設(shè)備、在蘋果亞利桑那州廠生產(chǎn)藍(lán)寶石材料，極特將自2015年起分五年陸續(xù)出貨給蘋果。
2013年9月12日蘋果已找到藍(lán)寶石與玻璃的貼和(sapphire-on-glass)方式，可讓組合好的藍(lán)寶石玻璃屏幕厚度少于1毫米。
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RDRA
MIntel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB/s)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計(jì)算機(jī))理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實(shí)際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯(cuò)誤檢查修正)校驗(yàn)位。Rambus的時(shí)鐘可以高達(dá)400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊)，減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。
DDR3時(shí)代DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠達(dá)到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內(nèi)存模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)：
1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2.采用點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。
3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。部分廠商已經(jīng)推出1.35V的低壓版DDR3內(nèi)存。
DDR4時(shí)代
內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)在2012年，DDR4時(shí)代將開啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進(jìn)一步將電壓降至1.0V，頻率則實(shí)現(xiàn)2667MHz。新一代的DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù))方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認(rèn)。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。
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