iphone6內(nèi)存多少g
iphone6內(nèi)存多少g
蘋果公司1980年12月12日公開招股上市，2012年創(chuàng)下6235億美元的市值記錄，截至2014年6月，蘋果公司已經(jīng)連續(xù)三年成為全球市值最大公司。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6內(nèi)存多少g的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6內(nèi)存多少g：
iPhone6的運(yùn)存ram是1GB RAM
iPhone6的物理內(nèi)存rom有多種可供選擇16G，64G，128G
iPhone6的硬件
iPhone6采用蘋果A8+M8運(yùn)動協(xié)處理器，主頻為1.4GHz。背后天線系統(tǒng)覆蓋到機(jī)身中框，弧面的金屬中框不僅加強(qiáng)機(jī)身整體圓潤感，平衡機(jī)身設(shè)計(jì)美學(xué)的同時，也減少手機(jī)不慎跌落時對機(jī)身的緩沖力。
iPhone6的系統(tǒng)
iPhone6將搭載全新的iOS 8系統(tǒng)。雖然的界面風(fēng)格上與iOS7區(qū)別不大，但iOS8系統(tǒng)更加開放與人性化。在鎖屏狀態(tài)下送短消息時，支持在鎖屏狀態(tài)下直接回復(fù)短信。另外在多任務(wù)欄，也可直接顯示最近的聯(lián)系人名片，并支持自定義編輯?？梢灾苯咏o他們發(fā)郵件、打電話等，大大增強(qiáng)了iOS的效率。
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除錄音(語音備忘錄)
語音備忘錄里的錄音這絕對是內(nèi)存殺手，刪除方法：打開iphone6【語音備忘錄】找到錄音，點(diǎn)擊【刪除】。 iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除你的瀏覽器緩存
瀏覽器的緩存同樣也是內(nèi)存殺手。我們要養(yǎng)成定期定緩存的習(xí)慣。刪除緩存方法：打開iphone6手機(jī)【設(shè)置】，點(diǎn)擊【Safari】進(jìn)入后，選擇【清除歷史記錄與網(wǎng)站數(shù)據(jù)】。
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除你的舊手機(jī)短信
當(dāng)你發(fā)送一條帶圖片的文本消息，圖片就會存儲在“其他”里，刪掉它們也有利于釋放內(nèi)存。遺憾的是沒有簡單的方法來大規(guī)模刪除短信，在手動刪除時，要小心不要刪除重要對話的記錄哦!
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——使用“照片流”云存儲照片
照片其實(shí)也是非常占內(nèi)存的，我們可以直接用iCloud同步到云端。開啟方法如下：打開iphone6手機(jī)【設(shè)置】點(diǎn)擊【iCloud】將【iCloud Drive】開啟后點(diǎn)擊【照片】將照片后將【我的照片流】開啟即可。
相關(guān)閱讀推薦：
在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。
這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。
封裝發(fā)熱量
DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。
DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。
看了iphone6內(nèi)存多少g文章內(nèi)容的人還看：