iphone6內(nèi)存卡怎么安裝
iphone6內(nèi)存卡怎么安裝
蘋果公司(Apple Inc. )是美國的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6內(nèi)存卡怎么安裝的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6內(nèi)存卡怎么安裝：
所有的蘋果手機都不能另裝儲存卡，所以外置內(nèi)存卡是沒辦法安裝的。
iPhone6的運存ram是1GB RAM
iPhone6的物理內(nèi)存rom有多種可供選擇16G，64G，128G
iPhone6的硬件
iPhone6采用蘋果A8+M8運動協(xié)處理器，主頻為1.4GHz。背后天線系統(tǒng)覆蓋到機身中框，弧面的金屬中框不僅加強機身整體圓潤感，平衡機身設(shè)計美學(xué)的同時，也減少手機不慎跌落時對機身的緩沖力。
iPhone6的系統(tǒng)
iPhone6將搭載全新的iOS 8系統(tǒng)。雖然的界面風(fēng)格上與iOS7區(qū)別不大，但iOS8系統(tǒng)更加開放與人性化。在鎖屏狀態(tài)下送短消息時，支持在鎖屏狀態(tài)下直接回復(fù)短信。另外在多任務(wù)欄，也可直接顯示最近的聯(lián)系人名片，并支持自定義編輯?？梢灾苯咏o他們發(fā)郵件、打電話等，大大增強了iOS的效率。
iPhone手機的所有配件都是一體安裝的，無法改裝?？梢酝ㄟ^外接iPhone專用優(yōu)盤實現(xiàn)擴容的效果，比如“覓果”這款產(chǎn)品。
提示：可以通過售后維修進行修理，價格較高，平時多清理手機緩存和沒必要的軟件。
iPhone 6是蘋果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手機，已于2014年9月19日正式上市。
iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率為1334*750像素，內(nèi)置64位構(gòu)架的蘋果A8處理器，性能提升非常明顯;同時還搭配全新的M8協(xié)處理器，專為健康應(yīng)用所設(shè)計;采用后置800萬像素鏡頭，前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別，首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機，4G LTE連接速度可達150Mbps，支持多達20個LTE頻段。
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提高內(nèi)存帶寬
內(nèi)存帶寬的計算方法并不復(fù)雜，大家可以遵循如下的計算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個都會對最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個數(shù)就大不相同了，簡單的改變會令內(nèi)存帶寬突飛猛進。DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個數(shù)的好處，它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。當然，提高數(shù)據(jù)包個數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章，通過多個內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組(如nForce2、I875/865等)。事實上，雙通道DDR內(nèi)存控制器并不能算是新發(fā)明，因為早在RAMBUS時代，RDRAM就已經(jīng)使用了類似技術(shù)，只不過當時RDRAM的總線寬度只有16Bit，無法與DDR的64Bit相提并論。內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到如今這一階段，四通道內(nèi)存控制器的出現(xiàn)也只是時間問題，VIA的QBM技術(shù)以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組，這些都是未來的發(fā)展方向。至于顯卡方面，我們對其顯存帶寬更加敏感，這甚至也是很多廠商用來區(qū)分高低端產(chǎn)品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產(chǎn)品，128Bit寬度的產(chǎn)品會表現(xiàn)出遠遠勝過64Bit寬度的產(chǎn)品。當然提高顯存頻率也是一種解決方案，不過其效果并不明顯，而且會大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端顯卡甚至動用了DDRII技術(shù)，不過至少在目前看來，這項技術(shù)還為時過早。
識別內(nèi)存帶寬
對于內(nèi)存而言，辨別內(nèi)存帶寬是一件相當簡單的事情，因為SDRAM、DDR、RDRAM這三種內(nèi)存在外觀上有著很大的差別，大家通過下面這副圖就能清楚地認識到。唯一需要我們?nèi)ケ嬲J的便是不同頻率的DDR內(nèi)存。目前主流DDR內(nèi)存分為DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位數(shù)字代表工作頻率。通過內(nèi)存條上的標識，自然可以很方便地識別出其規(guī)格。相對而言，顯卡上顯存帶寬的識別就要困難一些。在這里，我們應(yīng)該抓住“顯存位寬”和“顯存頻率”兩個重要的技術(shù)指標。顯存位寬的計算方法是：單塊顯存顆粒位寬×顯存顆粒總數(shù)，而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數(shù)"來決定。一般來說，我們可以從顯存顆粒上一串編號的最后2兩位看出其納秒數(shù)，從中也就得知其顯存頻率。至于單塊顯存顆粒位寬，我們只能在網(wǎng)上查詢。HY、三星、EtronTech(鈺創(chuàng))等都提供專用的顯存編號查詢網(wǎng)站，相當方便。如三星的顯存就可以到如下的地址下載，只要輸入相應(yīng)的顯存顆粒編號即可。此外，使用RivaTuner也可以檢測顯卡上顯存的總位寬，大家打開RivaTuner在MAIN菜單即可看到。
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