linux支持多大內(nèi)存
linux支持多大內(nèi)存
Linux是一套免費(fèi)使用和自由傳播的類Unix操作系統(tǒng)，是一個(gè)基于POSIX和UNIX的多用戶、多任務(wù)、支持多線程和多CPU的操作系統(tǒng)。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于linux支持多大內(nèi)存的內(nèi)容，歡迎閱讀!
linux支持多大內(nèi)存：
32位linux不打開(kāi)PAE，則最多只能識(shí)別出4GB內(nèi)存，若打開(kāi)PAE，則最多可以識(shí)別出64GB內(nèi)存。但是 32位系統(tǒng)下的進(jìn)程一次最多只能尋址4GB的空間。
64位linux則沒(méi)有32位系統(tǒng)的限制。因此對(duì)于內(nèi)存大于4GB的機(jī)器來(lái)說(shuō)，最好安裝64位系統(tǒng)。
簡(jiǎn)單介紹下如何讓redhat 5-32位支持4G以上內(nèi)存。
步驟1：
安裝kernel-PAE.i686 內(nèi)核包，讓系統(tǒng)內(nèi)核支持PAE物理地址擴(kuò)展。
rpm-ivh kernel-PAE-2.6.18-53.el5.i686.rpm 安裝的時(shí)候會(huì)報(bào)如下警告。
將安裝命令由原本的rpm-ivh ****.rpm 改為rpm -ivh ****.rpm –force --nodeps就可以了，nodeps的意思是忽視依賴關(guān)系。因?yàn)楦鱾€(gè)軟件之間會(huì)有或多或少的存在關(guān)聯(lián)，有了這兩個(gè)設(shè)置選項(xiàng)就忽略了這些依賴關(guān)系，強(qiáng)制安裝。
步驟2：
設(shè)置linux系統(tǒng)啟動(dòng)加加載內(nèi)核，讓系統(tǒng)啟用PAE的內(nèi)核
[root@wangdm~ 12:40 #11]# /boot/grub/grub.conf
#grub.conf generated by anaconda
#
#Note that you do not have to rerun grub after making changes to this file
#NOTICE: You have a /boot partition. This means that
# all kernel and initrd paths arerelative to /boot/, eg.
# root (hd0,0)
# kernel /vmlinuz-version roroot=/dev/sda3
# initrd /initrd-version.img
#boot=/dev/sda
default=0 (將default=1修改為default=0就可以了)
timeout=5
splashimage=(hd0,0)/grub/splash.xpm.gz
hiddenmenu
#升級(jí)后的系統(tǒng)引導(dǎo)
titleRed Hat Enterprise Linux Server
RedHat Enterprise Linux Server (2.6.18-53.el5PAE)
root (hd0,0)
kernel /vmlinuz-2.6.18-53.el5PAE roroot=LABEL=/ rhgb quiet
initrd /initrd-2.6.18-53.el5PAE.img
#升級(jí)前的系統(tǒng)引導(dǎo)，將其注釋掉
#titleRed Hat Enterprise Linux Server (2.6.18-194.el5)
# root (hd0,0)
# kernel /vmlinuz-2.6.18-194.el5 roroot=LABEL=/ rhgb quiet
# initrd /initrd-2.6.18-194.el5.img
保存后重啟linux，系統(tǒng)內(nèi)核就能最大支持64G內(nèi)存了。
通過(guò)查,cat/boot/config-*|grep PAE可以查看當(dāng)前的支持情況如下圖顯示。
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內(nèi)存的工作方式，內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動(dòng)態(tài)RAM)等形式。
FPM(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁(yè)面模式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：thinkpad 原裝內(nèi)存條這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存，它每隔三個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，他每隔兩個(gè)時(shí)鐘脈沖周期輸出一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時(shí)間，使存儲(chǔ)速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。
S(synchronous)DRAM
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SDRAM為168腳，這是PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過(guò)一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開(kāi)始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM
SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;內(nèi)存條RDRAM是RAMBUS公司開(kāi)發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬，芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時(shí)使用低電壓信號(hào)，在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對(duì)RDRAM的支持。
內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個(gè)：存儲(chǔ)容量和存取時(shí)間。存儲(chǔ)容量越大，電腦能記憶的信息越多。存取時(shí)間則以納秒(NS)為單位來(lái)計(jì)算。一納秒等于10億分之一秒。數(shù)字越小，表明內(nèi)存的存取速度越快。
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