材料表面工程是通過控制和改善材料的表面性質(zhì)而提高其相容性的技術(shù)領(lǐng)域,這是學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的材料表面工程技術(shù)論文，僅供參考!

　　材料表面工程技術(shù)論文篇一

　　金屬材料表面工程的應(yīng)用與發(fā)展

　　摘要：表面工程技術(shù)是21世紀(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一，從上世紀(jì)八十年代開始一直保持較快的發(fā)展速度，在科研和生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用，收到了良好的效益。本文簡要概述了金屬材料表面工程技術(shù)中的表面改性處理、表面涂鍍/層技術(shù)和堆焊表面改性技術(shù)的特點(diǎn)、應(yīng)用范圍和發(fā)展現(xiàn)狀。

　　關(guān)鍵詞：金屬材料;表面工程;發(fā)展與應(yīng)用

　　Abstract: Surface engineering technology is one of the key technologies in the 21 st century, and ithas been maintained a fast rate of development from the 1980 s. This technology is used widely in scientific research and production,and received good benefits. This paper briefly summarizes the characteristics ,application and development of the surface modification processing, surface coating plating/layer technology and the build-up welding technique in metal material surface engineering technologies.

　　Key Words: Metal material, Surface engineering, Application and development

　　中圖分類號(hào)：F416.41文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：

　　引言

　　表面工程學(xué)是一門涉及材料科學(xué)、冶金技術(shù)、機(jī)械工程等眾多領(lǐng)域的綜合學(xué)科，包括表面科學(xué)理論、表面工程技術(shù)、表面工程技術(shù)設(shè)計(jì)、表面分析與檢測(cè)技術(shù)、表面質(zhì)量與工藝過程控制工程、表面工程管理與經(jīng)濟(jì)分析等幾個(gè)方面[1]。其中表面工程技術(shù)是和生產(chǎn)實(shí)踐聯(lián)系最為密切的，同時(shí)也代表著生產(chǎn)技術(shù)水平的高

　　低?？茖W(xué)技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步對(duì)生產(chǎn)設(shè)備與儀器提出了更高的要求，復(fù)雜多變的工

　　況考驗(yàn)著材料性能的優(yōu)劣，必須在保證經(jīng)濟(jì)性前提下，綜合運(yùn)用各種高新技術(shù)提高和改善金屬材料性能。

　　表面工程技術(shù)是利用科技手段對(duì)材料表面進(jìn)行處理，通過改變材料表面和

　　亞表面的成分、微觀組織結(jié)構(gòu)以此來改善和提高其性能，滿足使用要求。金屬零件在使用過程中的破壞往往是從表面開始的，或因接觸介質(zhì)的化學(xué)腐蝕，或高溫環(huán)境的氧化和熔化，或摩擦工況及磨料介質(zhì)中的磨損，或復(fù)雜受力下的彎曲、扭轉(zhuǎn)、拉壓或剪切。因此，強(qiáng)化表面成為抵抗此類破壞的第一道防線。近年來，表面改性處理、表面涂鍍/層技術(shù)和堆焊表面改性技術(shù)因其不同的優(yōu)點(diǎn)在表面工程技術(shù)領(lǐng)域迅速發(fā)展。

　　1 表面改性技術(shù)

　　表面改性技術(shù)包括以噴丸強(qiáng)化、輥壓強(qiáng)化為代表的表面強(qiáng)化技術(shù)，以各種氧化、鈍化成膜的化學(xué)轉(zhuǎn)化膜技術(shù)，化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)與等離子束、激光束等高能束的表面處理技術(shù)。表面改性技術(shù)是借助外在介質(zhì)改善材料的表面性能，不對(duì)原材料添加任何化學(xué)元素，改性后的材料表面不存在化學(xué)元素的增減，只是成分的比例和組織結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。因此，該技術(shù)相對(duì)于涂鍍(層)技術(shù)和堆焊表面改性技術(shù)要工藝簡單，只需控制好過程參數(shù)即可。不同的工況環(huán)境對(duì)材料的要求也不同，應(yīng)根據(jù)具體的實(shí)際需求選擇處理工藝。

　　1.1化學(xué)轉(zhuǎn)化膜技術(shù)

　　該技術(shù)經(jīng)過近些年的發(fā)展已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了不僅在金屬材料表面成膜，而且可在陶瓷等非金屬表面成膜，膜的厚度也在向著更優(yōu)更薄的方向發(fā)展。如各種碳化鈦超導(dǎo)陶瓷薄膜系多晶或外延單晶薄膜、抗高溫大功率的半導(dǎo)體用金剛石薄膜以及各種光電子薄膜和集成光學(xué)薄膜。鋁及其合金的表面改性技術(shù)大多采用的是表面成膜技術(shù)，在表面形成耐磨、耐蝕、多孔、結(jié)合性強(qiáng)的高性能薄膜。目前鋁合金表面的改性技術(shù)主要有：電化學(xué)氧化法、化學(xué)轉(zhuǎn)化法、微弧氧化技術(shù)、等離子注入表面改性、冷噴涂技術(shù)、稀土轉(zhuǎn)化膜和激光處理等[2]。

　　1.2高能束表面改性技術(shù)

　　高能束表面改性技術(shù)是運(yùn)用高能束熱源，添加或不加化學(xué)元素，對(duì)材料表面及亞表面進(jìn)行重熔或熔覆處理，形成滿足使用要求的高性能表層。所謂的高能束(High Energy Density Beam------HEDB)即高能量密度的束流，包括激光束、電子束、等離子束[3]，與傳統(tǒng)熱源相比較，高能束具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：1、能量更加集中，因此熱效率高;2、方向性更強(qiáng);3、易于實(shí)現(xiàn)精確控制;4、屬于綠色能源，不易造成浪費(fèi)。高能束的諸多優(yōu)點(diǎn)使得它在傳統(tǒng)技術(shù)工業(yè)、聚合物、生物醫(yī)用材料、制備納米材料等各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用[4]。激光重熔、等離子重熔、激光表面熔覆、激光表面合金化等高能束表面改性技術(shù)在各行業(yè)得到飛速發(fā)展。

　　高能束作為新型能源在表面改性技術(shù)中的應(yīng)用，給表面工程學(xué)科帶來了大發(fā)展，必將是倡導(dǎo)節(jié)約能源降低能耗的21世紀(jì)快速發(fā)展的能源之一。表面改性處理改善金屬材料的使用性能與組織、硬度和耐磨性的改變有關(guān)，而各項(xiàng)改變的量和質(zhì)決定于材質(zhì)和高能束熱源。不同材料在具體的過程中還受到諸如掃描速度、掃描間距、電流、電壓等工藝條件選擇的影響。通常，輸入材料表面的高能束熱量越大，材料的散熱能力越強(qiáng)，則獲得的性能改善層深度越大，材料表面組織與原始組織差別越大。具體行業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用還需根據(jù)實(shí)際情況選擇高能束熱源類型和實(shí)際生產(chǎn)中合適的工藝參數(shù)。

　　2表面涂鍍/層技術(shù)

　　古典技術(shù)與現(xiàn)代技術(shù)相結(jié)合在材料表面形成一層或多層同質(zhì)或異質(zhì)層的技術(shù)稱為表面涂鍍/層技術(shù)。該技術(shù)包括在材料表面電鍍耐磨、耐蝕、耐高溫等優(yōu)異性能的單層或復(fù)合表層、非晶態(tài)鍍層的電鍍技術(shù);有機(jī)涂層技術(shù)、熱噴涂技術(shù)、物理氣相沉積技術(shù)等。

　　2.1熱噴涂技術(shù)

　　熱噴涂技術(shù)是一種重要的表面工程技術(shù)，通過在材料表面噴涂保護(hù)層、強(qiáng)化層和裝飾層來實(shí)現(xiàn)抗磨、耐熱、耐蝕、絕緣和導(dǎo)光等特性功能[5]。熱噴涂技術(shù)作為一種表面強(qiáng)化和防護(hù)工藝如今已日漸成熟，從單一的表面強(qiáng)化層發(fā)展到及產(chǎn)品失效分析、表面預(yù)處理、噴涂材料、噴涂設(shè)備選擇、噴涂工藝確定、涂層系統(tǒng)設(shè)計(jì)和噴涂層后期加工為一體的系統(tǒng)工程。該技術(shù)由條件要求極高的宇航工業(yè)開始，如今已深入發(fā)展到民用工業(yè)的各個(gè)行業(yè)[6]。

　　熱噴涂技術(shù)包括火焰噴涂、等離子噴涂、電弧噴涂等。電弧噴涂效率高、涂層結(jié)合力強(qiáng)、生產(chǎn)效率高且能適合各種復(fù)雜環(huán)境，因此在市場(chǎng)上的份額較大。噴涂材料離子的溫度和速度對(duì)涂層的性能影響較大，由此而生的超音速等離子熱噴涂技術(shù)近年來在國際上發(fā)展迅速?；鹧鎳娡扛鶕?jù)涂層材料的種類不同分為線材火焰噴涂和絲材火焰噴涂技術(shù)。該技術(shù)是利用火焰將材料先熔化然后形成涂層，之后再用火焰加熱涂層，可以使基層與涂層材料間達(dá)到冶金結(jié)合，對(duì)于高溫下承受熱沖擊的高溫磨具處理尤為重要[7]。

　　2.2物理氣相沉積技術(shù)

　　物理氣相沉積技術(shù)是利用真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍等方法在材料表面成膜。表面膜可以是金屬膜、合金膜、陶瓷膜亦或是金剛石膜等。此類沉積成膜技術(shù)已經(jīng)在機(jī)械、航空等行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。該技術(shù)在實(shí)際生產(chǎn)中操作靈活，可以根據(jù)需要調(diào)整成分和比例，從而改善材料的不同性能。

　　材料表面工程技術(shù)論文篇二

　　硅材料表面印跡技術(shù)研究進(jìn)展

　　摘要：綜述了近年來通過把分子識(shí)別位點(diǎn)建立在基質(zhì)材料的表面，來提高識(shí)別位點(diǎn)與印跡分子的結(jié)合速度。進(jìn)一步加強(qiáng)印跡材料吸附分離效率的分子印跡技術(shù)，即表面印跡技術(shù)的研究進(jìn)展。主要從以硅為基質(zhì)材料方面綜述了表面分子印跡技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，對(duì)最近幾年基于硅表面修飾的分子印跡技術(shù)的制備與應(yīng)用的最新進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)與評(píng)述，并對(duì)其將來的發(fā)展進(jìn)行了展望。

　　關(guān)鍵詞：分子印跡;表面修飾;硅材料;綜述

　　中圖分類號(hào)：0658.2

　　文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

　　文章編號(hào)：0367-6358(2007)12-754-04

　　作者簡介：邴乃慈(1979-)。女，滿族。撫順人。博士生，講師，主要從事聚合物材辯的研究工作。

　　分子印跡學(xué)是基于材料科學(xué)、生物化學(xué)等學(xué)科的一門交叉學(xué)科，可以用于獲得與模板分子在空間結(jié)構(gòu)和結(jié)合位點(diǎn)上完美匹配的聚合物(即分子印跡聚合物，MIPs)。由于MIPs與天然的分子識(shí)別系統(tǒng)相比。具有穩(wěn)定性好、使用壽命長、親和性和選擇性高等特點(diǎn)，自從20世紀(jì)70年代以來，MIPs已經(jīng)廣泛應(yīng)用于分離領(lǐng)域、臨床藥物分析、仿生催化和生物傳感器等諸多領(lǐng)域。目前應(yīng)用MIPs分離和識(shí)別的對(duì)象包括藥物、氨基酸、肽和多肽、蛋白質(zhì)、糖等，雖然構(gòu)象簡單的小分子的印跡研究工作已經(jīng)比較成熟，但是多肽、蛋白質(zhì)等生物大分子由于存在空間結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大、性質(zhì)脆弱、結(jié)構(gòu)柔軟、構(gòu)象多變以及可結(jié)合位點(diǎn)比較多等特點(diǎn)，按照傳統(tǒng)方法進(jìn)行模板印跡的難度很大，因此以生物大分子為模板分子的印跡制備技術(shù)無疑仍是一種挑戰(zhàn)。

　　近年來，很多學(xué)者都在致力于開發(fā)分子印跡材料新的合成方法和工藝，聚合物的尺寸也在逐漸變小變薄，由于表面分子印跡技術(shù)是將MIPs的識(shí)別位點(diǎn)最大限度地固定在基質(zhì)材料的表面，可以提高對(duì)印跡分子的結(jié)合速度，從而進(jìn)一步加強(qiáng)印跡材料的吸附分離效率，因此成為大分子印跡最有潛力的方法。由于該方法同樣適用于小分子物質(zhì)的印跡，表面印跡法已日益成為分子印跡領(lǐng)域最受關(guān)注的技術(shù)之一。

　　1　硅表面印跡聚合物的制備方法

　　1949年Dickey用染料甲基橙作為印跡分子，酸化硅酸鹽溶液形成染料印跡膠體，干燥并洗去印跡分子后得到的對(duì)甲基橙比乙基橙吸附能力高2倍的吸附材料，Dickey的這項(xiàng)研究掀開了基于硅表面修飾的分子印跡技術(shù)的嶄新一頁，從此，硅基分子印跡材料迅速發(fā)展起來，表1中列出幾種硅表面印跡的制備方法。

　　2　不同形態(tài)硅材料在表面印跡技術(shù)中的應(yīng)用

　　硅材料不僅具有良好的機(jī)械性能及熱穩(wěn)定性，并且具有多種多樣的形貌，因此以其為基質(zhì)的具有分子水平上識(shí)別功能的分子印跡材料必將具有優(yōu)異的性能及廣闊的應(yīng)用前景。表2中列出幾種不同形態(tài)硅材料在表面印跡技術(shù)中的應(yīng)用。

　　3　硅表面印跡技術(shù)的應(yīng)用

　　3.1固相萃取

　　固相萃取具有回收率和富集倍數(shù)高、環(huán)境友好、無相分離操作、操作簡單和易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為最常用的樣品前處理方法之一。分子印跡固相萃取由于可以簡化樣品前處理過程并且能夠彌補(bǔ)傳統(tǒng)固相萃取劑選擇性差的缺點(diǎn)，所以在痕量分析方面前景廣闊。

　　Koster等以雙氯醇胺(Clenbuteml)為模板分子，甲基丙烯酸為功能單體，在硅纖維表面聚合得到了75 pm的印跡聚合物層用于微量固相萃取對(duì)雙氯醇胺及其結(jié)構(gòu)類似物進(jìn)行選擇性分離。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，分子印跡纖維的制備和萃取性能均具有重復(fù)性，分子印跡纖維及非印跡纖維在乙腈中對(duì)雙氯醇胺的結(jié)構(gòu)類似物雙溴醇胺(Brombuter01)的萃取效率分別為75%和<5%，重復(fù)使用的分子印跡纖維的萃取效率仍然可達(dá)45%，由于機(jī)械性能好，重復(fù)利用率高，基于纖維表面的分子印跡聚合物在生物樣品的分離分析中具有很高的實(shí)用價(jià)值。

　　Jiang等將表面印跡技術(shù)與溶膠，凝膠過程相結(jié)合，在活化的氨基多孔硅膠表面印跡上雙酚A(BPA)，并將該MIPs用于固相萃取，高效液相色譜耦聯(lián)技術(shù)檢測(cè)水樣中的BPA。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示所得到的BPA-MIPs-Silica吸附劑具有吸附容量高，選擇性好等特點(diǎn)，印跡聚合物及非印跡聚合物的最大的靜態(tài)吸附容量分別為68.9和34.0 mg/g，選擇因子為4.5。

　　3.2色譜填料

　　分子印跡技術(shù)自誕生以來，一直在高效液相色譜、氣相色譜及毛細(xì)管電泳中有著最為廣泛的應(yīng)用，是一種制備色譜固定相尤其是手性固定相的強(qiáng)有力技術(shù)。但是由傳統(tǒng)包埋法所得到的MIPs由于具有顆粒不均勻、印跡效率低導(dǎo)致柱效低，限制了它的應(yīng)用，使用分散聚合法、懸浮聚合法等雖然可以得到粒徑的印跡聚合物微球，但所得印跡聚合物的識(shí)別位點(diǎn)大都在聚合物微球內(nèi)部，而印跡聚合物內(nèi)部存在擴(kuò)散阻力，導(dǎo)致待印跡分子與識(shí)別位點(diǎn)結(jié)合困難，結(jié)合速率低，溶液的分離處理效率不高，因此把識(shí)別位點(diǎn)建立在基質(zhì)表面的表面印跡技術(shù)在色譜分離方面必將有著廣闊的發(fā)展前景。而以硅膠、二氧化硅等為基質(zhì)的無機(jī)硅表面印跡材料不但具有分子印跡功能，而且具有良好的機(jī)械穩(wěn)定性及熱穩(wěn)定性，在色譜分離方面受到了更多的關(guān)注。

　　3.3催化反應(yīng)

　　分子印跡技術(shù)的一個(gè)很重要的應(yīng)用就是制備具有專一性的催化劑，并且已經(jīng)在合成、水解等反應(yīng)中有著成功應(yīng)用的例子。

　　Visnjevski等以Dials-Alder反應(yīng)的過渡態(tài)類似物(TSA)氯茵酸酐(Chlomndic anhydride)為模板分子，比較了采用包埋法與犧牲骨架法制備的硅表面印跡MIPs在六氯代環(huán)戊二烯與順丁烯二酸的Dials，Alder反應(yīng)中的催化活性。結(jié)果表明。MIPs-sheU的催化活性明顯高于包埋法得到的MIPs的催化活性，并且所得產(chǎn)物是其非印跡對(duì)照物的三倍。

　　3.4其他應(yīng)用

　　基于硅表面修飾的分子印跡技術(shù)在生物傳感、蛋白質(zhì)分子分離等方面也有成功應(yīng)用的實(shí)例。

　　Ling等以鄰苯二酚胺為模板分子在硅膠上制備MIPs，并將該分子印跡聚合物薄膜用在石英晶體微天平電極上檢測(cè)丙醇溶液中的待分析物。

　　Shi等于1999年在《Nature》上發(fā)表了有關(guān)以蛋白質(zhì)為模板分子的云母表面印跡技術(shù)。他們將蛋白質(zhì)首先吸附在云母上，然后在蛋白質(zhì)周圍包裹上一層二糖分子，再在二糖分子表面上聚合一層熒光聚合層，最后除去云母，洗脫掉蛋白質(zhì)分子，該分子印跡聚合物可以選擇性識(shí)別蛋白質(zhì)分子。

　　4　問題與展望

　　從微球到纖維，從大孔到微孔，從小分子識(shí)別到蛋白質(zhì)等生物大分子，以硅材料為基質(zhì)的分子印跡技術(shù)在許多方面已經(jīng)顯示了其巨大的優(yōu)越性并取得了一定的進(jìn)展。雖然硅材料表面印跡技術(shù)的起步較早，發(fā)展較快，但是仍存在一些問題有待解決：

　　(1)目前的研究主要停留在硅表面印跡聚合物的設(shè)計(jì)與制備上，而對(duì)印跡過程及識(shí)別過程的機(jī)理沒有展開相關(guān)研究。從分子水平上研究MIPs與印跡分子間的識(shí)別機(jī)制，不僅可以為MIPs的分子設(shè)計(jì)、單體選擇等提供重要的理論基礎(chǔ)，并且在實(shí)現(xiàn)MIPs與印跡分子間的識(shí)別過程的同時(shí)提高選擇性。

　　(2)表面印跡聚合物的單一吸附性和選擇吸附性均偏低，如何提高其吸附性能是今后工作的重點(diǎn);

　　(3)應(yīng)該從完善和創(chuàng)新現(xiàn)有制備技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)表面印跡，積極開發(fā)新材料。將分子印跡技術(shù)與其相結(jié)合，期望實(shí)現(xiàn)更多的分子識(shí)別過程。