三、低壓內(nèi)存在什么平臺適用

　　低壓內(nèi)存是從Haswell平臺開始大量出現(xiàn)的，可以工作在Haswell平臺以外的筆記本上，理論上Sandy Bridge(2011年發(fā)布，下文簡稱SNB，屬于二代智能酷睿處理器)和更老的Calpella(2010年發(fā)布，第一代智能酷睿處理器)平臺筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標準的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。

　　但需要注意的，DDR3L內(nèi)存普遍從單條4GB容量起步，甚至還有單條8GB的版本。但是，包括Calpella平臺在內(nèi)的老款筆記本(芯片組為HM55、GM45/PM45或更老)，也就是2011年之前的機器最高僅支持單條4GB內(nèi)存。

　　還有就是最新發(fā)布的Skylake-S僅支持DDR4以及DDR3L兩種內(nèi)存，不支持DDR3內(nèi)存了。大家在購買時需要了解自己的電腦平臺之后在進行選擇購買。

　　四、升級筆記本內(nèi)存如何選購

　　打算升級筆記本內(nèi)存的朋友后，在購買的時候，要根據(jù)自己筆記本電腦內(nèi)存的實際情況，從以下幾個方面入手：

　　主頻

　　不同主頻的內(nèi)存插在一起，或者主板不支持的內(nèi)存會產(chǎn)生兼容性問題。

　　容量

　　理論上來說，容量是越大越好，但實際一般用戶使用4GB的內(nèi)存已經(jīng)綽綽有余。而且，32位的系統(tǒng)也只能支持到3.25GB的內(nèi)存容量，再大的系統(tǒng)就無法識別了。

　　所以，要升級到4GB以上，就必須使用64位的系統(tǒng)了。如果需要查看自己電腦系統(tǒng)是32位還是64位，可以右擊桌面上的“計算機”，然后選擇“屬性”，打開“系統(tǒng)”窗口進行查看。

　　CL延遲

　　CL反應時間是衡量內(nèi)存性能的另一個標志。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需要的延長時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU指令后的反應速度。一般參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應所需的時間越短。

　　低壓內(nèi)存

　　標準電壓處理器理論上對標壓和低壓內(nèi)存都可以完美兼容，但考慮到不太大的性能差異以及低壓內(nèi)存良好的溫度表現(xiàn)，建議優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進行升級。

　　容量方面建議4GB起步，頻率1600MHz最佳，畢竟當下的應用程序和操作系統(tǒng)對內(nèi)存容量的要求越來越高，雖然頻率的提升對性能的影響不大，但是價格相差不大的情況下買高頻率的顯然更劃算。