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　　高二化學(xué)選修3目錄：

　　第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

　　第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)

　　第二章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

　　第一節(jié)共價(jià)鍵

　　第二節(jié)分子的立體結(jié)構(gòu)

　　第三節(jié)分子的性質(zhì)

　　第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

　　第一節(jié)晶體的常識

　　第二節(jié)分子晶體與原子晶體

　　第三節(jié)金屬晶體

　　第四節(jié)離子晶體

　　開放性作業(yè)

　　元素周期表

　　高二化學(xué)選修4目錄

　　第一章　化學(xué)反應(yīng)與能量

　　第一節(jié)　化學(xué)反應(yīng)與能量的變化

　　第二節(jié)　燃燒熱　能源

　　第三節(jié)　化學(xué)反應(yīng)熱的計(jì)算

　　第二章　化學(xué)反應(yīng)速率和化學(xué)平衡

　　第一節(jié)　化學(xué)反應(yīng)速率

　　第二節(jié)　影響化學(xué)反應(yīng)速率的因素

　　第三節(jié)　化學(xué)平衡

　　第四節(jié)　化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的方向 歸納與整理

　　第三章　水溶液中的離子平衡

　　第一節(jié)　弱電解質(zhì)的電離

　　第二節(jié)　水的電離和溶液的酸堿性

　　第三節(jié)　鹽類的水解

　　第四節(jié)　難溶電解質(zhì)的溶解平衡 歸納與整理

　　第四章　電化學(xué)基礎(chǔ)

　　第一節(jié)　原電池

　　第二節(jié)　化學(xué)電源

　　第三節(jié)　電解池

　　第四節(jié)　金屬的電化學(xué)腐蝕與防護(hù)

　　歸納與整理

　　高二化學(xué)選修5目錄

　　第一章　認(rèn)識有機(jī)化合物

　　1　有機(jī)化合物的分類

　　2　有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　3　有機(jī)化合物的命名

　　4　研究有機(jī)化合物的一般步驟和方法

　　第二章　烴和鹵代烴

　　1　脂肪烴

　　2　芳香烴

　　3　鹵代烴

　　第三章　烴的含氧衍生物

　　1　醇酚

　　2　醛

　　3　羧酸　酯

　　4　有機(jī)合成

　　第四章　生命中的基礎(chǔ)有機(jī)化學(xué)物質(zhì)

　　1　油脂

　　2　糖類

　　3　蛋白質(zhì)和核酸

　　第五章　進(jìn)入合成有機(jī)高分子化合物的時(shí)代

　　1　合成高分子化合物的基本方法

　　2　應(yīng)用廣泛的高分子材料

　　3　功能高分子材料

　　高二化學(xué)選修3知識點(diǎn)一

　　1、電子云：用小黑點(diǎn)的疏密來描述電子在原子核外空間出現(xiàn)的機(jī)會大小所得的圖形叫電子云圖。離核越近，電子出現(xiàn)的機(jī)會大，電子云密度越大;離核越遠(yuǎn)，電子出現(xiàn)的機(jī)會小，電子云密度越小。

　　2、電子層(能層)：根據(jù)電子的能量差異和主要運(yùn)動區(qū)域的不同，核外電子分別處于不同的電子層.原子由里向外對應(yīng)的電子層符號分別為K、L、M、N、O、P、Q.

　　3、原子軌道(能級即亞層)：處于同一電子層的原子核外電子，也可以在不同類型的原子軌道上運(yùn)動，分別用s、p、d、f表示不同形狀的軌道，s軌道呈球形、p軌道呈紡錘形，d軌道和f軌道較復(fù)雜.各軌道的伸展方向個(gè)數(shù)依次為1、3、5、7。

　　4、原子核外電子的運(yùn)動特征可以用電子層、原子軌道(亞層)和自旋方向來進(jìn)行描述.在含有多個(gè)核外電子的原子中，不存在運(yùn)動狀態(tài)完全相同的兩個(gè)電子。

　　5、原子核外電子排布原理：

　　(1)能量最低原理:電子先占據(jù)能量低的軌道，再依次進(jìn)入能量高的軌道;

　　(2)泡利不相容原理:每個(gè)軌道最多容納兩個(gè)自旋狀態(tài)不同的電子;

　　(3)洪特規(guī)則:在能量相同的軌道上排布時(shí)，電子盡可能分占不同的軌道，且自旋狀態(tài)相同。

　　洪特規(guī)則的特例:在等價(jià)軌道的全充滿(p6、d10、f14)、半充滿(p3、d5、f7)、全空時(shí)(p0、d0、f0)的狀態(tài)，具有較低的能量和較大的穩(wěn)定性.如24Cr [Ar]3d54s1、29Cu [Ar]3d104s1

　　6、根據(jù)構(gòu)造原理，基態(tài)原子核外電子的排布遵循圖⑴箭頭所示的順序。

　　根據(jù)構(gòu)造原理，可以將各能級按能量的差異分成能級組如圖⑵所示，由下而上表示七個(gè)能級組，其能量依次升高;在同一能級組內(nèi)，從左到右能量依次升高。基態(tài)原子核外電子的排布按能量由低到高的順序依次排布。

　　7、第一電離能：氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去1個(gè)電子，轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的能量叫做第一電離能。常用符號I1表示，單位為kJ/mol。

　　(1)原子核外電子排布的周期性

　　隨著原子序數(shù)的增加,元素原子的外圍電子排布呈現(xiàn)周期性的變化:每隔一定數(shù)目的元素，元素原子的外圍電子排布重復(fù)出現(xiàn)從ns1到ns2np6的周期性變化.

　　(2)元素第一電離能的周期性變化

　　隨著原子序數(shù)的遞增，元素的第一電離能呈周期性變化:

　　★同周期從左到右，第一電離能有逐漸增大的趨勢，稀有氣體的第一電離能最大，堿金屬的第一電離能最小;

　　★同主族從上到下，第一電離能有逐漸減小的趨勢。

　　說明：

　　①同周期元素，從左往右第一電離能呈增大趨勢。電子亞層結(jié)構(gòu)為全滿、半滿時(shí)較相鄰元素要大即第 ⅡA 族、第 ⅤA 族元素的第一電離能分別大于同周期相鄰元素。Be、N、Mg、P

　?、谠氐谝浑婋x能的運(yùn)用：

　　a.電離能是原子核外電子分層排布的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

　　b.用來比較元素的金屬性的強(qiáng)弱。I1越小，金屬性越強(qiáng)，表征原子失電子能力強(qiáng)弱。

　　(3)元素電負(fù)性的周期性變化

　　元素的電負(fù)性：元素的原子在分子中吸引電子對的能力叫做該元素的電負(fù)性。

　　隨著原子序數(shù)的遞增，元素的電負(fù)性呈周期性變化：同周期從左到右，主族元素電負(fù)性逐漸增大;同一主族從上到下，元素電負(fù)性呈現(xiàn)減小的趨勢。

　　電負(fù)性的運(yùn)用:

　　a.確定元素類型(一般>1.8，非金屬元素;<1.8，金屬元素)。

　　b.確定化學(xué)鍵類型(兩元素電負(fù)性差值>1.7，離子鍵;<1.7，共價(jià)鍵)。

　　c.判斷元素價(jià)態(tài)正負(fù)(電負(fù)性大的為負(fù)價(jià)，小的為正價(jià))。

　　d.電負(fù)性是判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱的重要參數(shù)(表征原子得電子能力強(qiáng)弱)。

　　8、化學(xué)鍵：相鄰原子之間強(qiáng)烈的相互作用?；瘜W(xué)鍵包括離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵。

　　9、離子鍵：陰、陽離子通過靜電作用形成的化學(xué)鍵

　　離子鍵強(qiáng)弱的判斷:離子半徑越小，離子所帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高。

　　離子鍵的強(qiáng)弱可以用晶格能的大小來衡量，晶格能是指拆開1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽離子所吸收的能量。晶格能越大，離子晶體的熔點(diǎn)越高、硬度越大。

　　離子晶體:通過離子鍵作用形成的晶體。

　　典型的離子晶體結(jié)構(gòu)：NaCl型和CsCl型.氯化鈉晶體中，每個(gè)鈉離子周圍有6個(gè)氯離子，每個(gè)氯離子周圍有6個(gè)鈉離子，每個(gè)氯化鈉晶胞中含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子;氯化銫晶體中，每個(gè)銫離子周圍有8個(gè)氯離子，每個(gè)氯離子周圍有8個(gè)銫離子，每個(gè)氯化銫晶胞中含有1個(gè)銫離子和1個(gè)氯離子.

　?、叟浜衔锏慕M成

　　④配合物的性質(zhì)：配合物具有一定的穩(wěn)定性。配合物中配位鍵越強(qiáng)，配合物越穩(wěn)定。當(dāng)作為中心原子的金屬離子相同時(shí)，配合物的穩(wěn)定性與配體的性質(zhì)有關(guān)。

　　高二化學(xué)選修3知識點(diǎn)二

　　23、分子間作用力：把分子聚集在一起的作用力。分子間作用力是一種靜電作用，比化學(xué)鍵弱得多，包括范德華力和氫鍵。

　　范德華力一般沒有飽和性和方向性，而氫鍵則有飽和性和方向性。

　　24、分子晶體:分子間以分子間作用力(范德華力、氫鍵)相結(jié)合的晶體.典型的有冰、干冰。

　　25、分子間作用力強(qiáng)弱和分子晶體熔沸點(diǎn)大小的判斷：組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，克服分子間引力使物質(zhì)熔化和氣化就需要更多的能量，熔、沸點(diǎn)越高，但存在氫鍵時(shí)分子晶體的熔沸點(diǎn)往往反常地高。

　　26、NH3、H2O、HF中由于存在氫鍵，使得它們的沸點(diǎn)比同族其它元素氫化物的沸點(diǎn)反常地高。

　　影響物質(zhì)的性質(zhì)方面：增大溶沸點(diǎn)，增大溶解性

　　表示方法：X—H……Y(N O F) 一般都是氫化物中存在。

　　27、幾種比較：

　　(1)離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵的比較

　　(2)非極性鍵和極性鍵的比較

　　(3)物質(zhì)溶沸點(diǎn)的比較

　?、俨煌惥w：一般情況下，原子晶體>離子晶體>分子晶體

　?、谕N類型晶體：構(gòu)成晶體質(zhì)點(diǎn)間的作用大，則熔沸點(diǎn)高，反之則小。

　　a.離子晶體：離子所帶的電荷數(shù)越高，離子半徑越小，則其熔沸點(diǎn)就越高。

　　b.分子晶體：對于同類分子晶體，式量越大，則熔沸點(diǎn)越高。

　　c.原子晶體：鍵長越小、鍵能越大，則熔沸點(diǎn)越高。

　　③常溫常壓下狀態(tài)

　　a.熔點(diǎn)：固態(tài)物質(zhì)>液態(tài)物質(zhì)

　　b.沸點(diǎn)：液態(tài)物質(zhì)>氣態(tài)物質(zhì)

　　以上就是學(xué)習(xí)啦小編分享的高二化學(xué)目錄，歡迎翻閱。

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