高中三年所有的物理公式(3)
高中三年所有的物理公式
高中物理公式（七）
十七、電磁振蕩和電磁波
1.LC振蕩電路T=2π(LC)1/2;f=1/T {f:頻率(Hz)，T:周期(s)，L:電感量(H)，C:電容量(F)｝
2.電磁波在真空中傳播的速度c=3.00×108m/s，λ=c/f {λ:電磁波的波長(m)，f:電磁波頻率｝
注: (1)在LC振蕩過程中,電容器電量最大時，振蕩電流為零;電容器電量為零時，振蕩電流最大; (2)麥克斯韋電磁場理論:變化的電(磁)場產(chǎn)生磁(電)場;
十八、光的反射和折射(幾何光學)
1.反射定律α=i {α;反射角，i:入射角｝
2.絕對折射率(光從真空中到介質(zhì))n=c/v=sin /sin {光的色散，可見光中紅光折射率小，n:折射率，c:真空中的光速，v:介質(zhì)中的光速， :入射角， :折射角｝
3.全反射：1)光從介質(zhì)中進入真空或空氣中時發(fā)生全反射的臨界角C：sinC=1/n
2)全反射的條件：光密介質(zhì)射入光疏介質(zhì);入射角等于或大于臨界角
注: (1)平面鏡反射成像規(guī)律:成等大正立的虛像,像與物沿平面鏡對稱; (2)三棱鏡折射成像規(guī)律:成虛像,出射光線向底邊偏折,像的位置向頂角偏移;
十九、光的本性(光既有粒子性,又有波動性,稱為光的波粒二象性)
1.兩種學說:微粒說(牛頓)、波動說(惠更斯)
2.雙縫干涉:中間為亮條紋;亮條紋位置: =nλ;暗條紋位置: =(2n+1)λ/2(n=0,1,2,3,、、、);條紋間距 { :路程差(光程差);λ:光的波長;λ/2:光的半波長;d兩條狹縫間的距離;l：擋板與屏間的距離｝ 3.光的顏色由光的頻率決定,光的頻率由光源決定,與介質(zhì)無關(guān),光的傳播速度與介質(zhì)有關(guān)，光的顏色按頻率從低到高的排列順序是：紅、橙、黃、綠、藍、靛、紫(助記：紫光的頻率大，波長小)
4.薄膜干涉:增透膜的厚度是綠光在薄膜中波長的1/4,即增透膜厚度d=λ/4〔見第三冊P25〕
5.光的衍射：光在沒有障礙物的均勻介質(zhì)中是沿直線傳播的，在障礙物的尺寸比光的波長大得多的情況下，光的衍射現(xiàn)象不明顯可認為沿直線傳播，反之，就不能認為光沿直線傳播
6.光的偏振：光的偏振現(xiàn)象說明光是橫波
7.光的電磁說：光的本質(zhì)是一種電磁波。電磁波譜(按波長從大到小排列):無線電波、紅外線、可見光、紫外線、倫琴射線、γ射線。紅外線、紫外、線倫琴射線的發(fā)現(xiàn)和特性、產(chǎn)生機理、實際應用
8.光子說,一個光子的能量E=hν {h:普朗克常量=6.63×10-34J.s，ν:光的頻率｝
9.愛因斯坦光電效應方程：mVm2/2=hν-W {mVm2/2:光電子初動能，hν:光子能量，W:金屬的逸出功｝ 注: (1)要會區(qū)分光的干涉和衍射產(chǎn)生原理、條件、圖樣及應用,如雙縫干涉、薄膜干涉、單縫衍射、圓孔衍射、圓屏衍射等; (2)其它相關(guān)內(nèi)容:光的本性學說發(fā)展史/泊松亮斑/發(fā)射光譜/吸收光譜/光譜分析/原子特征譜線〔見第三冊P50〕/光電效應的規(guī)律光子說〔見第三冊P41〕/光電管及其應用/光的波粒二象性〔見第三冊P45〕/激光〔見第三冊P35〕/物質(zhì)波〔見第三冊P51〕。
高中物理公式（八）
二十、原子和原子核
1.α粒子散射試驗結(jié)果a)大多數(shù)的α粒子不發(fā)生偏轉(zhuǎn);(b)少數(shù)α粒子發(fā)生了較大角度的偏轉(zhuǎn);(c)極少數(shù)α粒子出現(xiàn)大角度的偏轉(zhuǎn)(甚至反彈回來)
2.原子核的大?。?0-15～10-14m，原子的半徑約10-10m(原子的核式結(jié)構(gòu))
3.光子的發(fā)射與吸收：原子發(fā)生定態(tài)躍遷時,要輻射(或吸收)一定頻率的光子:hν=E初-E末{能級躍遷｝
4.原子核的組成：質(zhì)子和中子(統(tǒng)稱為核子)， {A=質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)，Z=電荷數(shù)=質(zhì)子數(shù)=核外電子數(shù)=原子序數(shù)〔見第三冊P63〕｝
5.天然放射現(xiàn)象：α射線(α粒子是氦原子核)、β射線(高速運動的電子流)、γ射線(波長極短的電磁波)、α衰變與β衰變、半衰期(有半數(shù)以上的原子核發(fā)生了衰變所用的時間)。γ射線是伴隨α射線和β射線產(chǎn)生的〔見第三冊P64〕
6.愛因斯坦的質(zhì)能方程:E=mc2{E:能量(J)，m:質(zhì)量(Kg)，c:光在真空中的速度｝
7.核能的計算ΔE=Δmc2{當Δm的單位用kg時，ΔE的單位為J;當Δm用原子質(zhì)量單位u時，算出的ΔE單位為uc2;1uc2=931.5MeV｝〔見第三冊P72〕。
注： (1)常見的核反應方程(重核裂變、輕核聚變等核反應方程)要求掌握; (2)熟記常見粒子的質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù); (3)質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒,依據(jù)實驗事實,是正確書寫核反應方程的關(guān)鍵; (4)其它相關(guān)內(nèi)容:氫原子的能級結(jié)構(gòu)〔見第三冊P49〕/氫原子的電子云〔見第三冊P53〕/放射性同位數(shù)及其應用、放射性污染和防護〔見第三冊P69〕/重核裂變、鏈式反應、鏈式反應的條件、核反應堆〔見第三冊P73〕/輕核聚變、可控熱核反應〔見第三冊P77〕/人類對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的認識。(完)
二十一、左手定則：
左手定則(安培定則)：已知電流方向和磁感線方向，判斷通電導體在磁場中受力方向，如電動機。
伸開左手,讓磁感線穿入手心(手心對準N極，手背對準S極)， 四指指向電流方向 ，那么大拇指的方向就是導體受力方向。
其原理是：
當你把磁鐵的磁感線和電流的磁感線都畫出來的時候，兩種磁感線交織在一起，按照向量加法，磁鐵和電流的磁感線方向相同的地方，磁感線變得密集;方向相反的地方，磁感線變得稀疏。磁感線有一個特性就是，每一條磁感線互相排斥!磁感線密集的地方“壓力大”，磁感線稀疏的地方“壓力小”。于是電流兩側(cè)的壓力不同，把電流壓向一邊。拇指的方向就是這個壓力的方向。
右手定則:
確定導體切割磁感線運動時在導體中產(chǎn)生的感應電流方向的定則。(發(fā)電機)
右手定則的內(nèi)容是：伸開右手，使大拇指跟其余四個手指垂直并且都跟手掌在一個平面內(nèi)，把右手放入磁場中，讓磁感線垂直穿入手心，大拇指指向?qū)w運動方向，則其余四指指向感應電流的方向。
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