高二物理上冊知識點(diǎn)

時間：2022-08-03 14:13:35 贊銳0由分享

對學(xué)過的知識，做過的練習(xí)，如果不及時復(fù)習(xí)，不會歸納總結(jié)，就容易出現(xiàn)知識之間的割裂而形成孤立地、呆板地學(xué)習(xí)物理知識的傾向。以下是小編給大家整理的高二物理知識點(diǎn)，希望大家能夠喜歡!

高二物理上冊知識點(diǎn)1

一、焦耳定律

1.定義：電流流過導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量跟電流的平方、導(dǎo)體的電阻和通電時間成正比。

2.意義：電流通過導(dǎo)體時所產(chǎn)生的電熱。

3.適用條件：任何電路。

二、電阻定律

1.電阻定律：在一定溫度下，導(dǎo)體的電阻與導(dǎo)體本身的長度成正比，跟導(dǎo)體的橫截面積成反比。

2.意義：電阻的決定式，提供了一種測電阻率的方法。

3.適用條件：適用于粗細(xì)均勻的金屬導(dǎo)體和濃度均與的電解液。

三、歐姆定律

1.歐姆定律：導(dǎo)體中電流I跟導(dǎo)體兩端的電壓U成正比，跟它的電阻R成反比。

2.意義：電流的決定式，提供了一種測電阻的方法。

3.適用條件：金屬、電解液(對氣體不適用)。適用于純電阻電路。

四、庫倫定律

五、電阻率

1.意義：電阻率是反映導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的物理量。材料導(dǎo)電性能的好壞用電阻率p表示，電阻率越小，導(dǎo)電性能越好，電阻率越大，表明在相同長度，相同橫截面積的情況下，導(dǎo)體電阻就越大。

2.決定因素：由材料的種類和溫度決定，與材料的長短、粗細(xì)無關(guān)。一般常用合金的電阻率大于組成它的純金屬的電阻率。

3.與溫度的關(guān)系：各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化。金屬的電阻率隨溫度的升高而增大(可用于制造電阻溫度計(jì));半導(dǎo)體和電介質(zhì)的電阻率隨溫度的升高而減小(半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的變化較大，可用于制造熱敏電阻)。

高二物理上冊知識點(diǎn)2

一、離子束電流及環(huán)形電流的求解方法

在電流求解過程中，有些電流和我們常見的形式是不相同的，并不是在導(dǎo)體內(nèi)電荷的定向移動。常見的情況如電子繞核運(yùn)動，經(jīng)電場加速的粒子流，這些問題可以通過等效電流的方向進(jìn)行求解。

求解經(jīng)過場強(qiáng)加速的粒子流形成的電流時，要注意應(yīng)用I=nqSv=λqv，式子中λ是導(dǎo)體單位長度內(nèi)的自由電荷數(shù)，它與v是一一對應(yīng)的。

求解環(huán)形電流的基本方法是截取任一截面，然后分析在一有代表性的時間段或一個周期內(nèi)通過該截面的電荷量Q，則有效電流I=Q/T.

二、導(dǎo)體折疊、截取或拉伸后電阻的計(jì)算

某導(dǎo)體形狀改變后，因總體積不變，電阻率不變，當(dāng)長度l和面積S變化時，應(yīng)用V=Sl來確定S和l在形變前后的關(guān)系，分別應(yīng)用電阻定律(詳情請查看高二物理選修3-1知識點(diǎn))即可求出l與S變化前后的電阻關(guān)系。

當(dāng)導(dǎo)體被折疊成n段時，導(dǎo)體的長度變成原來的1/n，橫截面積變成原來的n倍。截取時橫截面積不變，拉伸時若長度變?yōu)樵瓉淼膎倍，則橫截面積變?yōu)樵瓉淼?/n;若橫截面半徑變?yōu)樵瓉淼?/n時，橫截面積變?yōu)樵瓉淼?/n^2，長度是原來的n^2倍。

三、兩類邏輯電路題目的解題方法

1.由現(xiàn)象推斷邏輯電路

判定邏輯電路種類的基本方法是有輸入端、輸出端的狀態(tài)確定邏輯電路的真值表，或者抓住其輸出端與輸入端的邏輯對應(yīng)關(guān)系，進(jìn)而確定邏輯電路的種類。

2.有邏輯電路分析現(xiàn)象

在題目中一直門電路的種類，要分析生活中現(xiàn)象時，可先分析輸入端對應(yīng)的電壓情況，由門電路確定輸出端的電壓情況，進(jìn)而確定們電路所控制部分的電路會發(fā)生的現(xiàn)象。

高二物理上冊知識點(diǎn)3

1、晶體：外觀上有規(guī)則的幾何外形，有確定的熔點(diǎn)，一些物理性質(zhì)表現(xiàn)為各向異性。

非晶體：外觀沒有規(guī)則的幾何外形，無確定的熔點(diǎn)，一些物理性質(zhì)表現(xiàn)為各向同性。

①判斷物質(zhì)是晶體還是非晶體的主要依據(jù)是有無固定的熔點(diǎn)。

②晶體與非晶體并不是絕對的，有些晶體在一定的條件下可以轉(zhuǎn)化為非晶體(石英→玻璃)。

2、單晶體多晶體

如果一個物體就是一個完整的晶體，如食鹽小顆粒，這樣的晶體就是單晶體(單晶硅、單晶鍺)。

如果整個物體是由許多雜亂無章的小晶體排列而成，這樣的物體叫做多晶體，多晶體沒有規(guī)則的幾何外形，但同單晶體一樣，仍有確定的熔點(diǎn)。

3、晶體的微觀結(jié)構(gòu)：

固體內(nèi)部，微粒的排列非常緊密，微粒之間的引力較大，絕大多數(shù)微粒只能在各自的平衡位置附近做小范圍的無規(guī)則振動。

晶體內(nèi)部，微粒按照一定的規(guī)律在空間周期性地排列(即晶體的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu))，不同方向上微粒的排列情況不同，正由于這個原因，晶體在不同方向上會表現(xiàn)出不同的物理性質(zhì)(即晶體的各向異性)。

4、表面張力

當(dāng)表面層的分子比液體內(nèi)部稀疏時，分子間距比內(nèi)部大，表面層的分子表現(xiàn)為引力，如露珠。

(1)作用：液體的表面張力使液面具有收縮的趨勢。

(2)方向：表面張力跟液面相切，跟這部分液面的分界線垂直。

(3)大小：液體的溫度越高，表面張力越小;液體中溶有雜質(zhì)時，表面張力變小;液體的密度越大，表面張力越大。

高二物理上冊知識點(diǎn)4

1.兩種電荷、電荷守恒定律、元電荷：(e=1.60×10-19C);帶電體電荷量等于元電荷的整數(shù)倍。

2.庫侖定律：F=kQ1Q2/r2(在真空中){F:點(diǎn)電荷間的作用力(N)，k:靜電力常量k=9.0×109N?m2/C2，Q1、Q2:兩點(diǎn)電荷的電量(C)，r:兩點(diǎn)電荷間的距離(m)，方向在它們的連線上，作用力與反作用力，同種電荷互相排斥，異種電荷互相吸引｝

3.電場強(qiáng)度：E=F/q(定義式、計(jì)算式){E:電場強(qiáng)度(N/C)，是矢量(電場的疊加原理)，q:檢驗(yàn)電荷的電量(C)｝

4.真空點(diǎn)(源)電荷形成的電場E=kQ/r2{r:源電荷到該位置的距離(m)，Q:源電荷的電量｝

5.勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E=UAB/d{UAB:AB兩點(diǎn)間的電壓(V)，d:AB兩點(diǎn)在場強(qiáng)方向的距離(m)｝

6.電場力：F=qE{F:電場力(N)，q:受到電場力的電荷的電量(C)，E:電場強(qiáng)度(N/C)｝

7.電勢與電勢差：UAB=φA-φB，UAB=WAB/q=-ΔEAB/q

8.電場力做功：WAB=qUAB=Eqd{WAB:帶電體由A到B時電場力所做的功(J)，q:帶電量(C)，UAB:電場中A、B兩點(diǎn)間的電勢差(V)(電場力做功與路徑無關(guān))，E:勻強(qiáng)電場強(qiáng)度，d:兩點(diǎn)沿場強(qiáng)方向的距離(m)｝

9.電勢能：EA=qφA{EA:帶電體在A點(diǎn)的電勢能(J)，q:電量(C)，φA:A點(diǎn)的電勢(V)｝

10.電勢能的變化ΔEAB=EB-EA{帶電體在電場中從A位置到B位置時電勢能的差值｝

11.電場力做功與電勢能變化ΔEAB=-WAB=-qUAB(電勢能的增量等于電場力做功的負(fù)值)

12.電容C=Q/U(定義式，計(jì)算式){C:電容(F)，Q:電量(C)，U:電壓(兩極板電勢差)(V)｝

13.平行板電容器的電容C=εS/4πkd(S:兩極板正對面積，d:兩極板間的垂直距離，ω：介電常數(shù))

14.帶電粒子在電場中的加速(Vo=0)：W=ΔEK或qU=mVt2/2，Vt=(2qU/m)1/2

15.帶電粒子沿垂直電場方向以速度Vo進(jìn)入勻強(qiáng)電場時的偏轉(zhuǎn)(不考慮重力作用的情況下)

類平垂直電場方向：勻速直線運(yùn)動L=Vot(在帶等量異種電荷的平行極板中：E=U/d)

拋運(yùn)動平行電場方向：初速度為零的勻加速直線運(yùn)動d=at2/2，a=F/m=qE/m

注：

(1)兩個完全相同的帶電金屬小球接觸時，電量分配規(guī)律：原帶異種電荷的先中和后平分，原帶同種電荷的總量平分;

(2)電場線從正電荷出發(fā)終止于負(fù)電荷，電場線不相交，切線方向?yàn)閳鰪?qiáng)方向，電場線密處場強(qiáng)大，順著電場線電勢越來越低，電場線與等勢線垂直;