PN結(jié)是怎么形成的
PN結(jié)是怎么形成的
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)(英語：PN junction)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，是電子技術(shù)中許多器件所利用的特性，例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。你對PV結(jié)有什么認(rèn)識呢?下面由學(xué)習(xí)啦小編為你詳細介紹。
PB結(jié)石怎么形成的：
雜質(zhì)半導(dǎo)體
N型半導(dǎo)體(N為Negative的字頭，由于電子帶負電荷而得此名)：摻入少量雜質(zhì)磷元素(或銻元素)的硅晶體(或鍺晶體)中，由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由電子。于是，N型半導(dǎo)體就成為了含電子濃度較高的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性主要是因為自由電子導(dǎo)電。
P型半導(dǎo)體(P為Positive的字頭，由于空穴帶正電而得此名)：摻入少量雜質(zhì)硼元素(或銦元素)的硅晶體(或鍺晶體)中，由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵的時候，會產(chǎn)生一個“空穴”，這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”，使得硼原子成為帶負電的離子。這樣，這類半導(dǎo)體由于含有較高濃度的“空穴”(“相當(dāng)于”正電荷)，成為能夠?qū)щ姷奈镔|(zhì)。
PN結(jié)的形成
PN結(jié)是由一個N型摻雜區(qū)和一個P型摻雜區(qū)緊密接觸所構(gòu)成的，其接觸界面稱為冶金結(jié)界面。
在一塊完整的硅片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導(dǎo)體，另一邊形成P型半導(dǎo)體，我們稱兩種半導(dǎo)體的交界面附近的區(qū)域為PN結(jié)。
在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于N型區(qū)內(nèi)自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區(qū)內(nèi)空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差。由于自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區(qū)向P型區(qū)擴散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴散。它們擴散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質(zhì)離子，N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。開路中半導(dǎo)體中的離子不能任意移動，因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)的薄厚和摻雜物濃度有關(guān)。
在空間電荷區(qū)形成后，由于正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)形成了內(nèi)電場，其方向是從帶正電的N區(qū)指向帶負電的P區(qū)。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。
另一方面，這個電場將使N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)漂移，使P區(qū)的少數(shù)載流子電子向N區(qū)漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區(qū)漂移到P區(qū)的空穴補充了原來交界面上P區(qū)所失去的空穴，從P區(qū)漂移到N區(qū)的電子補充了原來交界面上N區(qū)所失去的電子，這就使空間電荷減少，內(nèi)電場減弱。因此，漂移運動的結(jié)果是使空間電荷區(qū)變窄，擴散運動加強。
最后，多子的擴散和少子的漂移達到動態(tài)平衡。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)的內(nèi)電場方向由N區(qū)指向P區(qū)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。
PN結(jié)的特性：
從PN結(jié)的形成原理可以看出，要想讓PN結(jié)導(dǎo)通形成電流，必須消除其空間電荷區(qū)的內(nèi)部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區(qū)接外加電源的正極，N區(qū)結(jié)負極，就可以抵消其內(nèi)部自建電場，使載流子可以繼續(xù)運動，從而形成線性的正向電流。而外加反向電壓則相當(dāng)于內(nèi)建電場的阻力更大，PN結(jié)不能導(dǎo)通，僅有極微弱的反向電流(由少數(shù)載流子的漂移運動形成，因少子數(shù)量有限，電流飽和)。當(dāng)反向電壓增大至某一數(shù)值時，因少子的數(shù)量和能量都增大，會碰撞破壞內(nèi)部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終PN結(jié)將被擊穿(變?yōu)閷?dǎo)體)損壞，反向電流急劇增大。
這就是PN結(jié)的特性(單向?qū)?、反向飽和漏電或擊穿?dǎo)體)，也是晶體管和集成電路最基礎(chǔ)、最重要的物理原理，所有以晶體管為基礎(chǔ)的復(fù)雜電路的分析都離不開它。比如二極管就是基于PN結(jié)的單向?qū)ㄔ砉ぷ鞯?而一個PNP結(jié)構(gòu)則可以形成一個三極管，里面包含了兩個PN結(jié)。二極管和三極管都是電子電路里面最基本的元件。
反向擊穿性
PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)變寬，區(qū)中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結(jié)燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓?；镜膿舸C構(gòu)有兩種，即隧道擊穿(也叫齊納擊穿)和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數(shù)，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數(shù)。
雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內(nèi)部電場的增強而相應(yīng)加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產(chǎn)生自由電子—空穴對，新產(chǎn)生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產(chǎn)生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應(yīng)，使阻擋層中的載流子數(shù)量急劇增加，象雪崩一樣。雪崩擊穿發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結(jié)中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。
齊納擊穿：齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高，PN結(jié)很窄，這樣即使施加較小的反向電壓(5V以下)，結(jié)層中的電場卻很強(可達2.5×105V/m左右)。在強電場作用下，會強行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產(chǎn)生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現(xiàn)了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質(zhì)是場致電離。
采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝，將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時發(fā)生。
熱電擊穿：當(dāng)pn結(jié)施加反向電壓時，流過pn結(jié)的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時，對于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產(chǎn)生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去，則將引起結(jié)溫上升。這種由于熱不穩(wěn)定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。
擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動加劇，致使載流子運動的平 均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發(fā)生雪崩擊穿具有正的溫度系數(shù)，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態(tài)高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負的溫度系數(shù)。
單向?qū)щ娦?/p>
(1)PN結(jié)加正向電壓時導(dǎo)通
如果電源的正極接P區(qū)，負極接N區(qū)，外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區(qū)變窄，電流可以順利通過，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。于是，內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。
(2)PN結(jié)加反向電壓時截止
如果電源的正極接N區(qū)，負極接P區(qū)，外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。
在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。
PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流;PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>
伏安特性
PN結(jié)的伏安特性(外特性)如圖所示，它直觀形象地表示了PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/p> 伏安特性的表達式為：
當(dāng)vD>>0，且vD>VT時， ;
當(dāng)vD<0，且 時，iD≈–IS≈0。
電容特性
PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)中的正負電荷構(gòu)成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變，主要有勢壘電容(CB)和擴散電容(CD)。勢壘電容和擴散電容均是非線性電容。
勢壘電容：勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當(dāng)外加電壓使PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng)PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化。勢壘區(qū)類似平板電容器，其交界兩側(cè)存儲著數(shù)值相等極性相反的離子電荷，電荷量隨外加電壓而變化，稱為勢壘電容，用CB表示，其值為：
擴散電容：PN結(jié)正向?qū)щ姇r，多子擴散到對方區(qū)域后，在PN結(jié)邊界上積累，并有一定的濃度分布。積累的電荷量隨外加電壓的變化而變化，當(dāng)PN結(jié)正向電壓加大時，正向電流隨著加大，這就要求有更多的載流子積累起來以滿足電流加大的要求;而當(dāng)正向電壓減小時，正向電流減小，積累在P區(qū)的電子或N區(qū)的空穴就要相對減小，這樣，當(dāng)外加電壓變化時，有載流子向PN結(jié)“充入”和“放出”。PN結(jié)的擴散電容CD描述了積累在P區(qū)的電子或N區(qū)的空穴隨外加電壓的變化的電容效應(yīng)。[10]
因PN結(jié)正偏時，由N區(qū)擴散到P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。反之，由P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴，在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。
CD是非線性電容，PN結(jié)正偏時，CD較大，反偏時載流子數(shù)目很少，因此反偏時擴散電容數(shù)值很小。一般可以忽略。
PN結(jié)電容：PN結(jié)的總電容Cj為CT和CD兩者之和Cj = CT+CD ，外加正向電 壓CD很大， Cj以擴散電容為主(幾十pF到幾千pF) ，外加反向電壓CD趨于零，Cj以勢壘電容為主(幾pF到幾十pF到)。
PN結(jié)的應(yīng)用：
根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管，利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管;利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管。使半導(dǎo)體的光電效應(yīng)與PN結(jié)相結(jié)合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質(zhì)結(jié)的載流子注入與復(fù)合可以制造半導(dǎo)體激光二極管與半導(dǎo)體發(fā)光二極管;利用光輻射對PN結(jié)反向電流的調(diào)制作用可以制成光電探測器;利用光生伏特效應(yīng)可制成太陽電池。此外，利用兩個PN結(jié)之間的相互作用可以產(chǎn)生放大，振蕩等多種電子功能。PN結(jié)是構(gòu)成雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的核心，是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)。在二級管中廣泛應(yīng)用。
穩(wěn)壓二極管
PN結(jié)一旦擊穿后，盡管反向電流急劇變化，但其端電壓幾 乎不變(近似為VBR，只要限制它的反向電流，PN結(jié) 就不會燒壞，利用這一特性可制成穩(wěn)壓二極管，其電路符號及伏安特性如上圖所示：其主要參數(shù)有： VZ 、 Izmin 、 Iz 、 Izmax。